دانلود مقالات ISI درباره Hfo2 + ترجمه فارسی

Impact of electrical stress on the electrical characteristics of 2 MeV electron irradiated metal-oxide-silicon capacitors with atomic layer deposited Al2O3, HfO2 and nanolaminated dielectrics

Keywords: Electrical stress; Electron irradiation; Al2O3; HfO2; Nanolaminate; High-k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

2 MeV electron irradiation effects on the electrical characteristics of metal–oxide–silicon capacitors with atomic layer deposited Al2O3, HfO2 and nanolaminated dielectrics

Keywords: Electron irradiation effects; High-k dielectrics; Al2O3; HfO2; Nanolaminate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of O-vacancy defects on the Schottky barrier heights in Ni/SiO2 and Ni/HfO2 interfaces

Keywords: Ni work function; Metal gate; HfO2; Schottky barrier

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Plasma enhanced atomic layer deposition of HfO2 with in situ plasma treatment

Keywords: PEALD; HfO2; Plasma treatment; High-k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of post metallization annealing on structural and electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with Pt/HfO2 gate stack

Keywords: MOS; HfO2; Metal gate; Effective work function; EOT; Fermi level pinning

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of HfO2 nanoparticles by sonochemical approach

Keywords: HfO2; Sonochemical; Nanoparticles; X-ray diffraction; Transmission electron microscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Characterization of Hafnium-Zirconium-Oxide-Nitride films grown by ion beam assisted deposition

Keywords: High-k dielectrics; HfO2; ZrO2; Structure; Optical properties

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Resistive switching of HfO2-based Metal–Insulator–Metal diodes: Impact of the top electrode material

Keywords: Resistance change random access memory (RRAM); Metal–Insulator–Metal (MIM); HfO2; Metal top electrode

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Electrical characteristics of SiGe pMOSFET devices with tantalum or titanium oxide higher-k dielectric stack

Keywords: MOSFET; High-k; HfO2; Ta; Ti; SiGe; Mobility

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Introducing densification mechanisms into the modelling of HfO2 atomic layer deposition

Keywords: Kinetic Monte Carlo simulation; DFT; Densification; High-k; HfO2; ALD; Multi-scale simulation; Process simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Investigation of Ti-doped Gd2O3 charge trapping layer with HfO2 blocking oxide for memory application

Keywords: Ti-doped gadolinium oxide; Charge trapping layer; HfO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Thickness measurement of a thin hetero-oxide film with an interfacial oxide layer by X-ray photoelectron spectroscopy

Keywords: 68.55.jd; 77.84.Bw; 79.60.−i; 06.20.F−; Thickness measurement; HfO2; XPS; Standard metrology;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

IR study of fundamental chemical reactions in atomic layer deposition of HfO2 with tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH), ozone, and water vapor

Keywords: HfO2; Atomic layer deposition; IR absorption spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Electrical and physical properties of HfO2 as gate dielectrics using various thickness of TaN electrodes for MIS capacitors

Keywords: High-k dielectric; HfO2; TaN; PMA

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Study of rapid thermal annealing on ultra thin high-k HfO2 films properties for nano scaled MOSFET technology

Keywords: RTA; Ultra thin films; HfO2; High-k; FT-IR; AFM; XRD; CV; IV

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Dielectric behaviour of Hf-doped CaCu3Ti4O12 ceramics obtained by conventional synthesis and reactive sintering

Keywords: CaCu3Ti4O12; Reactive sintering; Conventional synthesis; Dielectric properties; HfO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Defect passivation by O2 plasma treatment on high-k dielectric HfO2 films at room temperature

Keywords: Defect passivation; High-k; HfO2; Plasma

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hysteresis-free HfO2 film grown by atomic layer deposition at low temperature

Keywords: Atomic layer deposition; HfO2; Characterization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

HfO2 etching mechanism in inductively-coupled Cl2/Ar plasma

Keywords: Etch rate; HfO2; Etch mechanism; Plasma modeling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Improvements in the device characteristics of IZO-based transparent thin-film transistors with co-sputtered HfO2–Al2O3 gate dielectrics

Keywords: Oxide TFT; IZO; HfAlO; HfO2; Al2O3; Transparent TFT

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Basic investigation of HfO2 based metal–insulator–metal diodes

Keywords: MIM diode; HfO2; Leakage current density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Improvement on low-temperature deposited HfO2 film and interfacial layer by high-pressure oxygen treatment

Keywords: High-k dielectric; HfO2; O3 passivation; X-ray photo-emission spectroscopy (XPS)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate

Keywords: High-k; HfO2; LaLuO3; SiGe; Hole mobility; Quantum well MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Comparative study of AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor heterostructure field-effect transistors with Al2O3 and HfO2 gate oxide

Keywords: GaN; MOSHFET; Al2O3; HfO2; Interface state

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Structural and electrical characteristics of RF-sputtered HfO2 high-k based MOS capacitors

Keywords: HfO2; High-k; Sputtering; XRD; AFM; Interface traps

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Impact of the TiN electrode deposition on the HfO2 band gap for advanced MOSFET gate stacks

Keywords: Metal/high-k stack; TiN; HfO2; Band gap; Spectroscopic Ellipsometry; REELS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study on electrical characteristics and reliability of fluorinated HfO2 for HKMG

Keywords: HfO2; Fluorine; Plasma; Dielectric reliability; Trap

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Grain boundary mediated leakage current in polycrystalline HfO2 films

Keywords: HfO2; Grain boundaries; Leakage current; Atomic force microscopy; Density functional theory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Towards barrier height modulation in HfO2/TiN by oxygen scavenging – Dielectric defects or metal induced gap states?

Keywords: High-k dielectrics; MIM; Band alignment; HfO2; Defects; Metal induced gap states; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Atomic-layer-deposited Al2O3 and HfO2 on GaN: A comparative study on interfaces and electrical characteristics

Keywords: MOS; Atomic-layer-deposition (ALD); HfO2; Al2O3; GaN; High k dielectric

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Temperature and annealing effects on InAs nanowire MOSFETs

Keywords: InAs; Nanowire; FET; High-k; HfO2; MOSFET; III–V semiconductor; Annealing

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs

Keywords: GaAs passivation; Amorphous Si; XPS; MOSCAP; CET; MBE; HfO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Spectroscopic ellipsometry characterization of high-k gate stacks with Vt shift layers

Keywords: High-k dielectrics; Film thickness; Spectroscopic ellipsometry; Vt shift layer; Capping layer; HfO2; La2O3; X-ray reflectivity;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of physical growth conditions on the structural and optical properties of sputtered grown thin HfO2 films

Keywords: HfO2; Reactive DC sputtering; XPS depth profiling; Spectroscopic ellipsometer; FTIR; XRD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Frequency dependence studies on the interface trap density and series resistance of HfO2 gate dielectric deposited on Si substrate: Before and after 50 MeV Li3+ ions irradiation

Keywords: Ion radiation; MOS; HfO2; Series resistance; Interface state; C–V; G–V

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Cytotoxicity and physicochemical properties of hafnium oxide nanoparticles

Keywords: HfO2; Nanotoxicity; Surface chemistry; SIMS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Phase diagram of the Al2O3–HfO2–Y2O3 system

Keywords: Phase diagram; Al2O3; HfO2; Y2O3

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermal stability of HfO2 nanotube arrays

Keywords: Hafnium oxide; HfO2; Nanotube arrays; Anodic oxidation; Thermal stability; Dielectric properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The structural, elastic and thermodynamic properties of the cotunnite-type phase of Hafnia under high pressure from first-principles calculations

Keywords: Density functional theory; Elastic constants; Thermodynamic properties; HfO2;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Electrical characteristics and TDDB breakdown mechanism of N2-RTA-treated Hf-based high-κ gate dielectrics

Keywords: HfO2; HfSiOx; high-κ gate dielectric; RTA treatment; Oxide trap; TDDB reliability; Breakdown mechanism

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Electrical characterisation of HfYO MIM-structures deposited by ALD

Keywords: Yttrium; Doping; HfO2; Y2O3; ALD; MIM; High k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Combined spectroscopic ellipsometry and attenuated total reflection analyses of Al2O3/HfO2 nanolaminates

Keywords: HfO2; Al2O3; High κ oxide; Nanolaminate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electronic structure and crystallinity of the HfO2–TiO2 thin films

Keywords: Controllable synthesis; HfO2; Thin films; Band structure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High performance and the low voltage operating InGaZnO thin film transistor

Keywords: Thin film transistor; Metal oxide; High-k material; HfO2; Low voltage operating device

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electrical properties of HfO2 charge trap flash memory with SiO2/HfO2/Al2O3 engineered tunnel layer

Keywords: NVM; TBE; CTF; HfO2; Al2O3

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Drain current enhancement and negligible current collapse in GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited HfO2 as a gate dielectric

Keywords: GaN; Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET); Current collapse; HfO2; Atomic layer deposition (ALD)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Wideband frequency and in situ characterization of ultra thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors

Keywords: MIM capacitors; ZrO2; HfO2; Characterization; VCC; RF technology

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Syntheses and structures of novel hafnium chloroamido mono-amidinate and mono-guanidinate as precursors for HfO2 thin film

Keywords: Hafnium; Amidinate; Guanidinate; HfO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO2 gate oxide: A simulation study

Keywords: MOSFET; GaN; HfO2; Device simulation; Interface trap

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication of normally-off mode GaN and AlGaN/GaN MOSFETs with HfO2 gate insulator

Keywords: HfO2; AlGaN/GaN; MOSFET; Normally-off

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه