دانلود مقالات ISI درباره Hfo2 + ترجمه فارسی

HfO2 gate dielectric on Ge (1 1 1) with ultrathin nitride interfacial layer formed by rapid thermal NH3 treatment

Keywords: PEALD; HfO2; Passivation; XPS; Current conduction mechanism;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 26 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effects of HfO2/SiON/SiN stacked trapping layer on operation characteristics of poly-Si flash memory devices

Keywords: Poly-Si; Junctionless; Charge-trapping; HfO2; Si3N4; Flash memory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices

Keywords: Conductive filament; HfO2; Ni; Resistive random access memory (RRAM); Random telegraph noise (RTN); Variability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Temperature and polarity dependence of the switching behavior of Ni/HfO2-based RRAM devices

Keywords: Conductive filament; HfO2; Ni; Resistive random access memory (RRAM); Unipolar resistive switching; Variability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Synaptic potentiation and depression in Al:HfO2-based memristor

Keywords: HfO2; Resistive switching; Artificial synapse; Synaptic plasticity; Memristive device;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Electrical properties of atomic layer deposited HfO2/Al2O3 multilayer on diamond

Keywords: Diamond; Atomic layer deposition; HfO2; Al2O3

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

A study of capacitance-voltage hysteresis in the HfO2/InGaAs metal-oxide-semiconductor system

Keywords: HfO2; InGaAs; C-V hysteresis; Stress;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Germanium-related deep electron traps in ALD-grown HfO2 insulators studied through Exhaustive PhotoDepopulation Spectroscopy

Keywords: Defects; High-k oxides; HfO2; Germanium; EPD Spectroscopy; Reliability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Dual bipolar resistive switching in the sub-forming regime of HfO2 resistive switching devices

Keywords: Resistive RAM; Forming; HfO2;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Atomic layer deposition HfO2 capping layer effect on porous low dielectric constant materials

Keywords: Low-k dielectric; Porogen; HfO2; Reliability; Breakdown; TDDB;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Bias temperature instability comparison of CMOS LTPS-TFTs with HfO2 gate dielectric

Keywords: LTPS-TFTs; HfO2; PBTI; NBTI; Reliability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

On the modeling of Coulomb scattering in p-MOSFETs with hafnium based metal gate stacks

Keywords: Device modeling; Coulomb scattering; Hole mobility; Higk-k dielectrics; HfO2; p-MOSFETs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

AFM applications to study the morphology of HfO2 multilayer thin films

Keywords: HfO2; DMD-thin films; E-beam evaporation; AFM; Surface roughness

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Enhanced photoelectrochemical performance of WO3 film with HfO2 passivation layer

Keywords: WO3; HfO2; Passivation layer; Photoelectrochemical performance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Structural dependent room-temperature ferromagnetism in yttrium doped HfO2 nanoparticles

Keywords: A. Powders: chemical preparation; X-ray method and spectroscopy; Optical and magnetic properties; HfO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Silicon surface passivation using thin HfO2 films by atomic layer deposition

Keywords: ALD; HfO2; Fixed charge; Interface defect density; Surface passivation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High-K materials and metal gates for CMOS applications

Keywords: ALD; atomic layer deposition; CB; conduction band; CBO; conduction band offset; CMOS; complimentary metal oxide semiconductor; CNL; charge neutrality level; CV; capacitance voltage; CVD; chemical vapour deposition; DB; dangling bond; DOS; density of state

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 41 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Photoluminescent properties of undoped and Ce-doped HfO2 thin films prepared by magnetron sputtering

Keywords: Photoluminescence; HfO2; Thin films; Doped;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Electronic stopping power of hydrogen in HfO2 at the stopping maximum and below

Keywords: RBS; MEIS; Stopping power; Protons; HfO2; Electronic stopping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Symmetrical Al2O3-based passivation layers for p- and n-type silicon

Keywords: ALD; Passivation; Interface; Al2O3; SiO2; HfO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Enhanced endurance reliability and low current operation for AlOx/HfOx based unipolar RRAM with Ni electrode

Keywords: Resistive memory; HfO2; Ni; Unipolar

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of HfO2 content on the microstructure and piezoelectric properties of (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 lead-free ceramics

Keywords: Lead-free ceramics; (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3; HfO2; Piezoelectricity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Atomic layer deposition of HfO2 thin films using H2O2 as oxidant

Keywords: Atomic layer deposition; HfO2; H2O2;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

HfOx as RRAM material – First principles insights on the working principles

Keywords: HfO2; RRAM; Switching mechanism

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Atomic layer deposition of Y2O3 and yttrium-doped HfO2 using a newly synthesized Y(iPrCp)2(N-iPr-amd) precursor for a high permittivity gate dielectric

Keywords: High-k; Rare earth; HfO2; Y2O3; Dielectric constant; Yttrium; Leakage current; Gate oxide; ALD; Atomic layer deposition; Precursor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of RF power of post-deposition oxygen treatment on HfO2 gate dielectrics

Keywords: High-k; HfO2; ALD; RF power; Electrical characteristics; Reliability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Possible origin of ferromagnetism in undoped monoclinic HfO2 film

Keywords: HfO2; Surface; Oxygen vacancy; Magnetism; First principles;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Impact of incorporated oxygen quantity on optical, structural and dielectric properties of reactive magnetron sputter grown high-κ HfO2/Hf/Si thin film

Keywords: HfO2; High-κ dielectric; Reactive rf sputtering; In situ SE; FTIR; GIXRD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Resistive switching in HfO2-based atomic layer deposition grown metal-insulator-metal structures

Keywords: Resistive switching; HfO2; Atomic layer deposition; Metal-insulator-metal structures;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

HKMG CMOS technology qualification: The PBTI reliability challenge

Keywords: PBTI; High-k; Qualification; Charge trapping; HfO2; Threshold voltage instability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Improved programming and erasing speeds of poly-Si flash memory device by HfO2/Si3N4 bandgap-engineered trapping layer

Keywords: Poly-Si; Nanowire; Bandgap-engineering; HfO2; Si3N4; Flash memory;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Reduction of silicon dioxide interfacial layer to 4.6 Å EOT by Al remote scavenging in high-κ/metal gate stacks on Si

Keywords: High-κ/metal gate technology; HfO2; Doped TiN; Replacement gate processes; MIPS metal inserted poly-Si process; EOT scavenging;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Scaled X-bar TiN/HfO2/TiN RRAM cells processed with optimized plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) for TiN electrode

Keywords: HfO2; RRAM; Bipolar switching; Plasma pre-treatment; PEALD TiN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The effect of La2O3-incorporation in HfO2 dielectrics on Ge substrate by atomic layer deposition

Keywords: High k; Germanate; La2O3; HfO2; Atomic layer deposition; Bilayer; Doping; LaGeOx; La(iprCp)3;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

RESET-first bipolar resistive switching due to redox reaction in ALD HfO2 films

Keywords: Resistive random access memory (ReRAM); HfO2; Electrode; Redox;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Control of the interfacial reaction in HfO2 on Si-passivated GaAs

Keywords: HfO2; GaAs; Passivation; High-k dielectric; Atomic layer deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge (001) substrates with zero interface layer

Keywords: dielectric material; epitaxial growth; interface; Gd2O3; HfO2; rare earths

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Downscaling ferroelectric field effect transistors by using ferroelectric Si-doped HfO2

Keywords: Non-volatile memory; FeFET; Scalability; HfO2; Ferroelectricity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Reactively sputtered HfO2 and Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–HfO2 dielectrics for metal–insulator–metal capacitor applications

Keywords: Metal-insulator-metal capacitor; BZT; HfO2; Reactive sputtering

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of post-deposition annealing temperature on RF-sputtered HfO2 thin film for advanced CMOS technology

Keywords: High-k; HfO2; RF-sputtering; FTIR; AFM; Dit; IV/CV

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Deposition cycle of atomic layer deposition HfO2 film: Effects on electrical performance and reliability

Keywords: High-k; HfO2; ALD; Electrical characteristics; Reliability; AC

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Mechanical properties of ultra-thin HfO2 films studied by nano scratches tests

Keywords: HfO2; Thin films; Nanoindentation; Atomic force microscope; Nano-scratch

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Influence of HfAlO composition on memory effects of metal-oxide-semiconductor capacitors with Al2O3/HfAlO/Al2O3 layers and Pd electrode

Keywords: Charge trapping material; Atomic-layer-deposition; Metal-oxide-semiconductor capacitor; HfO2; Al2O3; HfAlO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Fabrication of hafnia hollow nanofibers by atomic layer deposition using electrospun nanofiber templates

Keywords: Atomic layer deposition; Electrospinning; HfO2; Hollow nanofibers; Nylon 6,6;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of Spatial Image Transfer in a Pulse МОCVD Process

Keywords: Pulse MOCVD; Transferred image; layer deposition; HfO2; MgO.;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Etch characteristics of HfO2 thin films by using CF4/Ar inductively coupled plasma

Keywords: Etching; HfO2; XPS; ICP; CF4

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Surface mechanical property assessment of ultra-thin HfO2 films

Keywords: Thin film; X-ray diffraction; Wear resistance; HfO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Two-step annealing effects on ultrathin EOT higher-k (k = 40) ALD-HfO2 gate stacks

Keywords: High-k; HfO2; ALD; Cubic; PDA; EOT

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Zirconium and hafnium tert-butoxides and tert-butoxo-β-diketonate complexes – Isolation, structural characterization and application in the one-step synthesis of 3D metal oxide nanostructures

Keywords: Metal alkoxides; β-Diketonate complexes; ZrO2; HfO2; Metal–organic decomposition (MOD)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Electrical and dielectric properties of Al/HfO2/p-Si MOS device at high temperatures

Keywords: HfO2; Conductance method; MOS structure; Temperature dependence; Dielectric and electric modulus properties

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه