دانلود مقالات ISI درباره 2Deg + ترجمه فارسی

Influence of barrier thickness on AlInN/GaN underlap DG MOSFET device performance

Keywords: Barrier layer; MOS-HEMT; Underlap; AlInN/GaN Heteorstructure; 2DEG; Analog/RF performance; Short channel effect;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Electronic structure in a two-dimensional triangle-like periodic magnetic field

Keywords: 2DEG; Electronic structure; Periodic magnetic field

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Normally-off GaN MOSFETs on insulating substrate

Keywords: Normally-off; GaN; MOSFET; 2DEG

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

A planar Penning trap with tunable dimensionality of the trapping potential

Keywords: Planar Penning trap; Ellipticity; 2DEG; Magnetic inhomogeneity; Frequency shifts matrix

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Polarization based charge density drain current and small-signal model for nano-scale AlInGaN/AlN/GaN HEMT devices

Keywords: 2DEG; AlInGaN; Quantum effects; Fermi level;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Rashba spin splitting in the Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure under uniaxial strain

Keywords: Rashba spin splitting; Uniaxial strain; 2DEG; Piezoelectric polarization; Spontaneous polarization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1−xN/AlN)SLs/GaN heterostructures

Keywords: SLs; 2DEG; GaN; HEMT;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Interfacial misfit dislocation scattering effect in two-dimensional electron gas channel of GaN heterojunction

Keywords: GaN heterojunction; 2DEG; Dislocation scattering; Lattice mismatch; Mobility

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Mobility-limiting mechanisms in polar semiconductor heterostructures

Keywords: HEMTs; Surface roughness; Dislocations; Hall mobility; 2DEG;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Si-delta doping and spacer thickness effects on the electronic properties in Si-delta-doped AlGaAs/GaAs HEMT structures

Keywords: Si-delta-doping; Spacer thickness; 2DEG; Self-consistent Poisson–Schrödinger; Photoluminescence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Mobility spectrum analysis of anisotropic electron transport in N-polar GaN/AlGaN heterostructures on vicinal sapphire substrates

Keywords: 2DEG; GaN; AlGaN; Anisotropy; Magneto-transport; Mobility spectrum analysis

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Metal-Insulator-like transition in the LaAlO3/BaTiO3 interface

Keywords: 2DEG; LaAlO3; BaTiO3; Ferroelectric; MIT

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Numerical optimization of In-mole fractions and layer thicknesses in AlxGa1−xN/AlN/GaN high electron mobility transistors with InGaN back barriers

Keywords: AlGaN/AlN/GaN; HEMT; Schrödinger; Poisson; 2DEG; InGaN; Back barrier;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Anomalous temperature dependence of electron tunneling between a two-dimensional electron gas and Si dots

Keywords: Tunneling; Si; Quantum dot; 2DEG

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Analysis of defect related optical transitions in biased AlGaN/GaN heterostructures

Keywords: AlGaN/GaN; MOCVD; 2DEG; Photoluminescence; Under bias

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Photoluminescence studies of 2DEG confinement in InAs ultrathin layer introduced in GaAs/AlGaAs structure

Keywords: 2DEG; Electron states; InAs Ultrathin layer; Si-delta-doping

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Numerical simulation of novel ultrathin barrier n-GaN/InAlN/AlN/GaN HEMT structures: Effect of indium-mole fraction, doping and layer thicknesses

Keywords: InAlN; AlInN; Ultrathin barrier; HEMT; Schrödinger; Poisson; 2DEG

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

A spin field effect transistor using stray magnetic fields

Keywords: Spin-FET; Stray field; Zeeman splitting; Spin filtering; 2DEG

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Ultrathin GaN/AlN/GaN solution-gate field effect transistor with enhanced resolution at low source-gate voltage

Keywords: 2DEG; HEMT; AlGaN/GaN; AlN; Chemical sensor; Resolution; Sensitivity; pH

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

2DEG in the presence of tilted magnetic field at finite temperature

Keywords: 71.10.Ca; 71.70.−d; 71.70.Di; 72.80.−r; 2DEG; Tilted magnetic field; Thermodynamic properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The evolution of sheet-plasmon behavior in silver monolayers on Si(1 1 1)-(3×3)-Ag surface

Keywords: Sheet plasmon; HREELS; 2DEG;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0 0 0 1) sapphire

Keywords: 2DEG; AlGaN/GaN; Step formation and bunching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Enhancement of the 2DEG density in AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMTs structures grown by MBE on (311)A and (111)A GaAs substrates

Keywords: P-HEMT; High index substrate; Photoluminescence; 2DEG

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of deep levels in high electron mobility transistor by conductance deep level transient spectroscopy

Keywords: GaN; AlGaN; Si substrate; HEMT; Deep Levels; 2DEG; CDLTS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of two-dimensional electron gas (2DEG) in strained silicon for research on ultra-low energy electronic processes

Keywords: Electron gas; Strained Si; 2DEG; Electron mobility; Electron density;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure

Keywords: GaN; HEMT; 2DEG; Mobility; Polarization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Field-tunable magnetic phases in a semiconductor-based two-dimensional Kondo lattice

Keywords: 72.25.−b; 71.45.Gm; 71.70.Ej; Intrinsic spin lattice; 2DEG; Spin interaction; Anomalous Hall effect; RKKY;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Observation of the transition from diffusive regime to ballistic regime of the 2DEG transport property in AlxGa1−xN/GaN heterostructures

Keywords: AlxGa1−xN/GaN heterostructure; 2DEG; Magnetoresistivity; Electron–electron interaction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Structure design criteria of dual-channel high mobility electron transistors

Keywords: Dual-channel; Single-channel; δ-Doping; HEMT; 2DEG

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Tunneling induced electron transfer in SiNx/AlGaN/GaN based metal–insulator–semiconductor structures

Keywords: 71.20.Nr; 73.50.-h; 73.61.EyAlxGa1−xN/GaN; 2DEG; SiNx; Tunneling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of the passivation of SiNx with various growth stoichiometry on the high temperature transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1−xN/GaN heterostructures

Keywords: 70.; 71.20.Nr; 73.50.-h; 73.61.EyAlxGa1−xN/GaN; 2DEG; Transport; High temperature; SiNx

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Spin susceptibility and effective mass of a 2D electron system in GaAs heterostructures towards the weak interacting regime

Keywords: 71.18.+y; 73.40.−c; 73.43.Qt; Effective masses; Spin susceptibility; g-factor; Nonparabolicity; 2DEG;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Adsorption of Cs on InAs(1 1 1) surfaces

Keywords: 79.60−i; 73.21−b; 68.43−h; Adatoms; Indium arsenide; Cs; Photoemission; 2DEG;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The microwave induced resistance response of a high mobility 2DEG from the quasi-classical limit to the quantum Hall regime

Keywords: 73.50.Jt; 73.40.−c; 78.67.−n; 78.20.Ls; 73.43.−f; 2DEG; Microwaves; Zero-resistance states; Landau levels;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Studies of electro-optical properties and band alignment of InGaPN/GaAs heterostructures by photoreflectance and photoluminescence

Keywords: 78.55.Cr; 78.40.Fy; 73.40.Kp; InGaPN/GaAs; 2DEG; Band alignment; Carrier localization; Photoreflectance; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Nanoscale materials patterning and engineering by atomic force microscopy nanolithography

Keywords: AFM; atomic force microscopy; cAFM; conductive atomic force microscopy; CNT; carbon nanotube; 2DEG; two-dimensional electron gas; DPN; dip-pen nanolithography; EDPN; electrochemical dip-pen nanolithography; F-N; Fowler-Nordheim; HMDS; hexamethyldisila

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 48 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Strong coupling between bi-dimensional electron gas and nitrogen localized states in heavily doped GaAs1−xNx structures

Keywords: GaAsN; 2DEG; Molecular beam epitaxy; Photoluminescence spectroscopy; Si-doping; Activation energy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nitride-based MSM UV photodetectors with photo-chemical annealing Schottky contacts

Keywords: GaN; 2DEG; Ni/Au; MSM photodetector; Semi-transparent contact;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the significance of the surface states in isolated AlxGa1−xN/GaN heterostructures

Keywords: AlGaN/GaN; 2DEG; Surface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Low and room temperature studies of RF to DC rectifiers based on ballistic transport

Keywords: 73.23.−b; 73.23.Ad; 73.50.Fg; 73.50.Mx; 73.61.Ga; HF measurements; Y-branch junction; 2DEG; Nonlinear; Room temperature; Nanotechnology; Ballistic transport;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Piezoelectric polarization-induced two dimensional electron gases in AlGaN/GaN heteroepitaxial structures: Application for micro-pressure sensors

Keywords: AlGaN/GaN; Piezoelectric; Pressure-sensor; 2DEG;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A deterministic solver for the transport of the AlGaN/GaN 2D electron gas including hot-phonon and degeneracy effects

Keywords: 73.61.Ey; 73.50.Fq; 73.50.Bk; 2DEG; AlGaN/GaN heterostructure; Multigroup model; Hot phonon effects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه