دانلود مقالات ISI درباره A1 عیوب + ترجمه فارسی

The effect of AlN nucleation temperature on inverted pyramid defects in GaN layers grown on 200 mm silicon wafers

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Nucleation; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(1 1 0) films by controlling defects via ion implantation

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Solution growth of Si on reorganized porous Si foils and on glass substrates

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; Substrates; A3. Liquid phase epitaxy; Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Self-organized InAs/InAlGaAs quantum dots as dislocation filters for InP films on (001) Si

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Dislocation structure of Ge crystals grown by low thermal gradient Czochralski technique

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A1. X-ray topography; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Study of the defect formation in KDP crystals grown under extremely high supersaturation

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. X-ray topography; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

The process of growing Cr2O3 thin films on α-Al2O3 substrates at low temperature by r.f. magnetron sputtering

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystallites; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A3. Sapphire; A3. Physical vapor deposition processes; A3. Selective epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Characterization of grown-in dislocations in high-quality glucose isomerase crystals by synchrotron monochromatic-beam X-ray topography

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A1. X-ray topography; A2. Seed crystals; B1. Proteins;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

An investigation of near-infrared photoluminescence from AP-MOVPE grown InSb/GaSb quantum dot structures

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Nucleation; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Phase degradation in BxGa1−xN films grown at low temperature by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 عیوب; B1. Nitrides; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A1. Characterization; A1. Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Characterization of stacking faults with emission wavelengths of over 500 nm formed in 4H-SiC epitaxial films

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Nanostructures; A1. X-ray topography; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Quality improvement of CdZnTe single crystal by ultrasound processing

Keywords: A1 عیوب; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting cadmium compounds; A1. Impurities; A1. Defects; A1. Purification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Vanadium doped Cd0.9Mn0.1Te crystal and its optical and electronic properties

Keywords: A1 عیوب; A1. Vanadium doping; A1. Defects; A2. Growth from Tellurium Solution; B2. CdMnTe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Direct observation of influence of secondary-phase defects on CZT detector response

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Characterization; A1. Etching; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting cadmium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effects of convection patterns on freckle formation of directionally solidified Nickel-based superalloy casting with abruptly varying cross-sections

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Directional solidification; A1. Fluid flows; A1. Computer simulation; A1. Convection;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0 0 0 1) AlN/sapphire using growth mode modification process

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; B1. Nitrides; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A1. Characterization; A1. Growth models; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Thermal history effect on the nucleation of oxygen precipitates in germanium doped Cz-silicon studied by high-energy X-ray diffraction

Keywords: A1 عیوب; A1. Doping; A1. X-ray diffraction; A1. Defects; A1. Impurity; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Cr doped Ca2GeO4, Ca5Ge3O11 and Li2CaGeO4 single crystals grown by the flux method

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Single crystal growth; B1. Germanium compounds; B3. Solid state lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Preventing phase separation in MOCVD-grown InAlAs compositionally graded buffer on silicon substrate using InGaAs interlayers

Keywords: A1 عیوب; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds; A1. Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Design and fabrication of enhanced lateral growth for dislocation reduction in GaN using nanodashes

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapour epitaxy; A3. Pendeoepitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Study on the local stress induced dislocations on (1¯1¯1¯) Te face of CdTe-based crystals

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Stresses; A1. Dislocations; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. CdZnTe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 26 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Formation of basal plane stacking faults on the (0001¯) facet of heavily nitrogen-doped 4H-SiC single crystals during physical vapor transport growth

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Surface structure; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 28 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

In-situ detection of growth striations by crystallization electromotive force measurement during Czochralski crystal growth

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Interfaces; A2. Czochralski method; B1. Lithium compounds; B1. Niobates; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Narrow growth window for stoichiometric, layer-by-layer growth of LaAlO3 thin films using pulsed laser deposition

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Surface structure; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B1. Perovskites; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Towards defect-free epitaxial CdTe and MgCdTe layers grown on InSb (001) substrates

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Tellurides; B2. Semiconducting II–VI

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Compensation processes in high-resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A2. Bridgman technique; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Optical and structural properties of GaN epitaxial layers on LiAlO2 substrates and their correlation with basal-plane stacking faults

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Origins of hillock defects on GaN templates grown on Si(111)

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

High quality (InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Rutile crystal; A2. Floating zone technique; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Threading dislocation density characterization in III–V photovoltaic materials by electron channeling contrast imaging

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Excitonic emission and absorption resonances in V0.25W0.75Se2 single crystals grown by direct vapour transport technique

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting ternary compound;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

An ultra-thin compliant sapphire membrane for the growth of less strained, less defective GaN

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Substrates; A1. Single crystal growth; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Solid phase epitaxy; A3. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Coalescence of planar GaAs nanowires into strain-free three-dimensional crystals on exact (001) silicon

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa

Keywords: A1 عیوب; A1. Etching; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Halides; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Ca10Li(VO4)7:Nd3+, a promising laser material: growth, structure and spectral characteristics of a Czochralski-grown single crystal

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A2. Czochralski growth; B1. Vanadates; B3. Solid state lasers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

CVD growth and properties of boron phosphide on 3C-SiC

Keywords: A1 عیوب; B2. Semiconducting III-V materials; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A1. Characterization; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A1. Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Characteristic morphologies of triangular defects on Si-face 4H-SiC epitaxial films

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of Co2+ doping on solubility, crystal growth and properties of ADP crystals

Keywords: A1 عیوب; A1. X-ray diffraction; A1. Defects; A2. Single crystal growth; B1. Inorganic compounds; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Photoelasticy method for study of structural imperfection of ZnGeP2 crystals

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. X-ray topography; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Nonlinear optical; Photoelasticity method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Structural analysis of the 3C|4H boundaries formed on prismatic planes in 4H-SiC epitaxial films

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 21 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Axial distribution of deep-level defects in as-grown CdZnTe:In ingots and their effects on the material׳s electrical properties

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Influence of the substrate grade on structural and optical properties of GaN/AlGaN superlattices

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Time-resolved photoluminescence; A1. Exciton life time; A3. Molecular Beam Epitaxy; A3. Superlattice; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Unintentional boron contamination of MBE-grown GaInP/AlGaInP quantum wells

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of interfacial oxygen on the microstructure of MBE-grown homoepitaxial N-polar GaN

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; N-polar nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Tuning band gap and ferromagnetism in epitaxial Al-doped SnO2 films by defect engineering

Keywords: A1 عیوب; SnO2 thin film; Ferromagnetism; Band gap; Localized hole; Oxygen vacancy; A1. Defects; B2. Semiconducting materials; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Defect Creation in InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells - II. Optical Properties

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Photoluminescence spectroscopy; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Indium gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Photoluminescence evolution in GaAs/AlGaAs core/shell nanowires grown by MOCVD: Effects of core growth temperature and substrate orientation

Keywords: A1 عیوب; B2. Semiconducting gallium arsenide; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A1. Photoluminescence; A1. Defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

InAs nanowires with AlxGa1−xSb shells for band alignment engineering

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nanomaterials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial re-growth of CdTe, CdTe/CdMgTe and CdTe/CdZnTe double heterostructures on CdTe/InSb(1 0 0) substrates with As cap

Keywords: A1 عیوب; A1. Substrates; A1. Defects; A1. Desorption; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه