دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی + ترجمه فارسی

The growth of GaAs and InAs dots on etched mesas: The effect of substrate temperature on mesa profile and surface morphology on dot distribution

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.55.−a; 68.43.JkA1. Adatom migration; A1. Low-dimensional structure; A1. Surface process; A3. Molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of thin epitaxial Co3O4(111) films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Interface structure; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Spinel; B1. Oxide film growth; 68.37.−d; 68.35.Ct; 68.37.Og; 68.37.Ps; 68.55.−a; 75.50.Ee;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Lateral variations in self-assembled InGaAs quantum dot distributions

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.65.Hb; 81.15.Hi; 81.05.EaA1. Atomic force microscopy; A1. Nanostructures; A1. Self-assembly; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. InAs/GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Quantum dot lasers: From promise to high-performance devices

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 42.55.Px; 78.66.Fd; 78.67.Hc; 72.25.−bA1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Thermodynamics of GaAs nanowire MBE growth with gold droplets

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 82.60.−s; 81.15.Hi; A1. Thermodynamics; A2. Growth simulation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaAs nanowires; B2. Au-Ga-As system;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characterizing the thickness dependence of epitaxial GaN grown over GaN nanocolumns using X-ray diffraction

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.05.C; 61.46.KmA1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of GaN on transition-metal carbide (1 1 1) surfaces

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.Jk; 81.05.JeA1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Carbides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of single-crystalline ZnO film with two-dimensional periodic structure on Si(1 1 1) substrate by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 68.55.−a; 61.14.HgA1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Silicon; B2. ZnO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MBE-growth of InAs/GaAs(0 0 1) quantum dots at low temperatures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.−a; 68.55.ag; 68.65.Hb; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Free-standing zinc-blende (cubic) GaN layers and substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.05.EaA1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of InGaN and InGaN/InGaN quantum wells by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.55.Cr; 78.67.De; 81.15.HiA1. Low dimensional structures; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; A3. Molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth and magnetic properties of zb-type MnAs films on GaAs substrates by high-temperature MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.−a; 75.50.Gg; 75.60.−d; 75.70.−iA1. Single crystal growth; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of highly antimony doped germanium on silicon

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 61.72.ufA1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting germanium; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of Zn/O flux ratio and Mn-doped ZnO buffer on the plasma-assisted molecular beam epitaxy of ZnO on c-plane sapphire

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.10.Aj; 81.40.Tv; 78.55.−m; 68.60.−pA1. Characterization; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Mechanism for spontaneous growth of GaN nanowires with molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.07.Bc; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.37.Hk; 68.35.CtA1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimization of initial growth in low-angle incidence microchannel epitaxy of GaAs on (0 0 1) GaAs substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 81.15.−z; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Linear smoothing of GaAs(1 0 0) during epitaxial growth on rough substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.−a; 81.10.−h; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.10.AjA1. Characterization; A1. Growth models; A1. Light-scattering tomography; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of epitaxial thin films of scandium nitride on 100-oriented silicon

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.Ag; 81.15.Hi; 68.55.Jm; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon; B2. Scandium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improvement of InAs quantum dots optical properties in close proximity to GaAs(0 0 1) substrate surface

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.67.Hc; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.16.DnA1. Interfaces; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Incorporation behaviors of group V elements in GaAsSbN grown by gas-source molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.30.Fs; 81.10.−h; 82.30.−b; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting quarternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Dislocation reduction in CdTe/Si by molecular beam epitaxy through in-situ annealing

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.−a; 81.05.Dz; 81.15.Hi; A1. Dislocation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. CdTe; B1. HgCdTe; B1. Si; B2. Etched pit density; B3. Annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of InN on Ge(1 1 1) by molecular beam epitaxy using a GaN buffer

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Single crystal growth; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B1. Germanium; B1. InN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Magnetic and magneto-optical properties of heteroepitaxial magnetite thin films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 75.50.Bb; 75.60.Ej; 75.70.Cn; 75.70.Kw; 78.20.LsA1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of the metastable phase ytterbium monoxide on gallium nitride surfaces

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Phase equilibria; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Metastable compounds; B1. Oxides; B1. Rare earth compounds; B1. Ytterbium monoxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural characterization of non-polar (1 1 2 0) and semi-polar (1 1 2 6) GaN films grown on r-plane sapphire

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Role of thermal expansion matching in CdTe heteroepitaxy on highly lattice-mismatched substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Dz; 81.15.Hi; 68.60.Dv; 61.72.FfA1. Stresses; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

III–V epitaxy on Si for photonics applications

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of Zn pre-exposure temperature on the microstructures of ZnO films grown on Si(0 0 1) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 39.10.+j; 61.10.Nz; 68.37.Lp; 78.66.HfA1. Characterization; A1. Interfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Plasma-assisted molecular beam epitaxy of SnO2 on TiO2

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.10.−h; 61.05.cp; 68.37.−dA1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Post-deposition growth kinetics of Ge on Ge(0 0 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.10.Kw; 68.05.Cf; 81.15.−zA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural characterization of TiO2 films grown on LaAlO3 and SrTiO3 substrates using reactive molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.37.Lp; 61.72.Ff; 81.15.HiA1. Electron Energy Loss Spectrometry; A1. Transmission Electron Microscopy; A3. Molecular Beam Epitaxy; B1. TiO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Shape of heteroepitaxial island determined by asymmetric detachment

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Aa; 68.43.Hn; 68.47.PeA1. Computer simulation; A1. Low-dimensional structures; A1. Morphological stability; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Organic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Semiconductor(BaSi2)/metal(CoSi2) Schottky-barrier structures epitaxially grown on Si(1 1 1) substrates by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.05.Cp; 61.05.Jh; 68.55.Ag; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Barium compounds; B2. Semiconductor silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Low temperature molecular beam epitaxy growth of cubic GaCrN

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 75.50.Pp; 61.10.HtA1. Solubility; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MgO films grown on yttria-stabilized zirconia by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 61.14.Hg; 61.10.Nz; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Growth models; B1. Oxides; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of CdSexTe1−x thin films on Si(1 0 0) by molecular beam epitaxy using lattice mismatch graded structures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.05.cp; 61.05.J−; 68.35.bg; 68.37.Lp; 68.55.ag; 81.05.Dz; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown on 3C-SiC/Si(1 1 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 73.40.Kp; 73.61.Ey; 81.05.−t; 81.15.Gh; 81.15.Hi; 85.30.Tv; A3. Chemical vapor deposition; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Silicon carbide; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Subsurface Fe-doped semi-insulating GaN templates for inhibition of regrowth interface pollution in AlGaN/GaN HEMT structures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.72.−y; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 68.55.Jk; 81.10.Aj; 81.05.Ea; 81.15.Gh.; 81.15.Hi; 85.30.TvA1. Fe doping; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A2. Regrowth interface pollution; A3. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. H

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of microstructure and defects in epitaxial ZnO (112¯0) films on Al2O3(11¯02) substrates by transmission electron microscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.37.Lp; 78.66.Hf; 61.72.Ff; 61.72.Nn; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth mechanisms and optical properties of GaAs-based semiconductor microstructures by selective area epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.46.Hk; 78.55.Cr; 81.15.HiA1. Growth model; A1. Nanowires; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective area epitaxy; B1. Aluminium arsenide; B1. Indium arsenide; B1. Nanocolumns; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of (Al)GaAs/AlAs distributed Bragg mirrors grown by MBE and LP MOVPE techniques

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.05.cm; 61.05.cp; 68.35.Ct; 81.15.Hi; 81.15.KkA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Roughening; A3. Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Au-assisted growth of GaAs nanowires by gas source molecular beam epitaxy: Tapering, sidewall faceting and crystal structure

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.46.Hk; 61.72.Dd; 61.72.Nn; 61.82.Fk; 61.82.Rx; 68.37.Hk; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 68.70.+w; 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.07.Bc; 81.10.Bk; 81.15.Hi; 81.16.DnA1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanowires; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Sem

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy on gas cluster ion beam-prepared GaSb substrates: Towards improved surfaces and interfaces

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Gas cluster ion beam; B1. Antimonides; B1. Surface oxides; B2. GaSb

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural investigation of growth and dissolution of InxGa1-xNInxGa1-xN nano-islands grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.37.Og; 68.37.Lp; 68.55.−a; 68.55.Nq; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.16.DnA1. High resolution transmission electron microscopy; A3. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

On the mechanisms of spontaneous growth of III-nitride nanocolumns by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.07.Bc; 81.15.Hi; 81.10.Aj; 61.46.Km; 81.05.EaA1. Low-dimensional structures; A1. Nanostructures; A2. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Atomically controlled doping of nitrogen on GaAs(0 0 1) surfaces

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.14.Hg; 68.35.Bs; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. Nitridation; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

In situ measurements of wafer bending curvature during growth of group-III-nitride layers on silicon by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.72.Lk; 62.20.Fe; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. In situ monitoring; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Group-III-nitrides; B2. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation on GaAs(0 0 1) surface treated by As-free high temperature surface cleaning method

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.82.Fk; 68.37.EfA1. Desorption; A1. Scanning tunneling microscope; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaAs; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Structure transition between two GaAs(0 0 1)-c(4×4) surface reconstructions in As4 flux

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Scanning tunneling microscopy; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

(In)GaSb/AlGaSb quantum wells grown on Si substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.-a; 68.55.Ln; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه