دانلود مقالات ISI درباره Ingaas + ترجمه فارسی

Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition on In0.82Al0.18As

Keywords: Interface state; InGaAs; Passivation; ICPCVD; Dark current;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Experimental investigation of the charge-layer doping level in InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes

Keywords: InGaAs; Short-wave infrared; SWIR; Avalanche photodiode; APD; Imaging;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Performance optimization of InGaAs power LDMOSFET

Keywords: InGaAs; LDMOSFET; Breakdown voltage; On-resistance; Figure-of-merit

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

A study of InGaAs/InAlAs/InP avalanche photodiode

Keywords: Avalanche photodiode; InGaAs; Simulations; Measurements

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

InGaAs inversion layers band structure, electrostatics, and mobility modeling based on 8 band k→·p→ theory

Keywords: InGaAs; nMOS; Quantum confinement; Inversion layer mobility calculation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Optical investigation of In0.21Ga0.79As multiple quantum wells grown on (0 0 1) and (1 1 3) A GaAs substrates

Keywords: Multiple quantum wells MQW; InGaAs; Time resolved photoluminescence TRPL; GaAs; High index substrates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

A review of InP/InAlAs/InGaAs based transistors for high frequency applications

Keywords: Bipolar transistors; Composite channel; HEMT; Hetero junction bipolar transistors (HBTs); InAs; InGaAs; InP; Noise figure (NF)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Simulation of the Metal-Semiconductor-Metal photodetector based on InGaAs for the photodetection at the wavelength 1.55 μm

Keywords: Metal-Semiconductor-Metal (MSM); Photodetectors; Semiconductor III–V; InGaAs; Optoelectronics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiNx passivation films fabricated by two different techniques

Keywords: InGaAs; Surface passivation; 1/f noise

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Strain effects on n-InGaAs heterostructure-on-insulator made by direct wafer bonding

Keywords: Strain; InGaAs; Mobility; Pseudo-MOSFET; SOI wafer

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes

Keywords: Extended wavelength; InGaAs; Passivation; ICPCVD; Dark current

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Impact of T-gate stem height on parasitic gate delay time in InGaAs-HEMTs

Keywords: InGaAs; HEMTs; T-gate; Delay time analysis

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influence of the oxide–semiconductor interface on the resistive switching phenomenon in metal/Al2O3/InGaAs

Keywords: Resistive switching; Interface states; InGaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Misfit dislocation reduction in InGaAs epilayers grown on porous GaAs substrates

Keywords: Compound semiconductors; InGaAs; Porous substrate; Misfit dislocations; Strain;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

High temperature thermal stability investigations of ammonium sulphide passivated InGaAs and interface formation with Al2O3 studied by synchrotron radiation based photoemission

Keywords: Passivation; InGaAs; Photoemission; Sulphur; Synchrotron;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth and temperature dependent photoluminescence of InGaAs quantum dot chains

Keywords: Self-assembled quantum dots; Annealing; Molecular beam epitaxy; Scanning tunneling microscopy; Transmission electron microscopy; Photoluminescence; InGaAs; GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Defect energy levels of the As-As dimer at InGaAs/oxide interfaces: A first principles study

Keywords: III-V/Oxide interfaces; InGaAs; Al2O3; Defect levels;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Electrically active interface defects in the In0.53Ga0.47As MOS system

Keywords: High-k; InGaAs; Interface state density; CV analysis; Surface n-channel InGaAs MOSFETs; Maserjian Y-function;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ring-to-dots transformation of InGaAs quantum rings grown by droplet epitaxy

Keywords: Molecular beam epitaxy; InGaAs; Droplet; Quantum ring; Annealing

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Broadband absorption bleaching in chirped InGaAs quantum dot semiconductor optical amplifier operating at 1211–1285 nm

Keywords: Quantum dot; InGaAs; Waveguide; Semiconductor optical amplifier; Absorption bleaching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Investigation of electron mobility in surface-channel Al2O3/In0.53Ga0.47As MOSFETs

Keywords: InGaAs; Mobility; MOSFET; High-k; Interface traps; Pulsed Id − Vg

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Investigation of Pd–InGaAs for the formation of self-aligned source/drain contacts in InGaAs metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

Keywords: Palladium; InGaAs; Pd–InGaAs; III–V

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Measurement of indium concentration profiles and segregation efficiencies from high-angle annular dark field-scanning transmission electron microscopy images

Keywords: HAADF-STEM; InGaAs; Composition analysis; Segregation; CELFA

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Intrinsic defects in GaAs and InGaAs through hybrid functional calculations

Keywords: GaAs; InGaAs; DFT; Hybrid functional

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

CoInGaAs as a novel self-aligned metallic source/drain material for implant-less In0.53Ga0.47As n-MOSFETs

Keywords: Cobalt; InGaAs; Contact metallization; Self-aligned

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Evaluation of portable Raman spectrometer with 1064 nm excitation for geological and forensic applications

Keywords: Portable 1064 nm Raman; Biomolecules; InGaAs; Fluorescence; Drugs; Explosives; Minerals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Silicon and selenium implantation and activation in In0.53Ga0.47As under low thermal budget conditions

Keywords: InGaAs; Implantation; Activation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Multi-stacked quantum dot solar cells fabricated by intermittent deposition of InGaAs

Keywords: Quantum dot solar cell; InGaAs; Multi-stacking

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Identification of defect levels at InxGa1-xInxGa1-xAs/oxide interfaces through hybrid functionals

Keywords: InGaAs; GaAs; Defects; Dangling bond; Vacancy; Arsenic antisite; DFT; Hybrid functional

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Buried-Pt gate InP/In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As pseudomorphic HEMTs

Keywords: InP; InGaAs; Pseudomorphic high electron mobility transistor (p-HEMT); Buried-Pt gate; InP etch stop layer; Schottky contact

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Improving electrical characteristics of W/HfO2/In0.53Ga0.47As gate stacks by altering deposition techniques

Keywords: High-k; InGaAs; Interface state density; Bulk trap; Frequency dispersion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of scalability of In0.7Ga0.3As quantum well field effect transistor (QWFET) architecture for logic applications

Keywords: InGaAs; Quantum well FETs (QWFETs); Drift–Diffusion simulation; Ballistic effect; Effective carrier injection velocity; Double-Gate (DG) QWFETs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optimisation of the ammonium sulphide (NH4)2S passivation process on In0.53Ga0.47As

Keywords: InGaAs; Sulphur passivation; Photoemission; Surface roughness; Native oxide; Ammonium sulphide; Chemical passivation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Anisotropic spin interference in InGaAs/InAlAs rectangular loop arrays

Keywords: Spin-orbit interaction; Quantum interference; AAS oscillations; Aharonov-Casher effect; InGaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of interface states on sub-threshold response of III–V MOSFETs, MOS HEMTs and tunnel FETs

Keywords: Interface states; InGaAs; MOSFET; HEMT; Tunnel FET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Structural and optical study of BxInyGa1−x−yAs/GaAs and InyGa1−yAs/GaAs QW's grown by MOCVD

Keywords: MOCVD; Photoluminescence; HRXRD; InGaAs; BInGaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Study of the inversion behaviors of Al2O3/InxGa1−xAs metal–oxide–semiconductor capacitors with different In contents

Keywords: InGaAs; InAs; MOS; Al2O3; ALD; Capacitor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In0.53Ga0.47As(1 0 0) native oxide removal by liquid and gas phase HF/H2O chemistries

Keywords: Surface preparation; Liquid phase; Gas phase; HF; Water; InGaAs; Native oxide removal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Improvement on the noise performance of InAs-based HEMTs with gate sinking technology

Keywords: Buried gate; High-electron mobility transistor (HEMT); InAs; InGaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Self-aligned inversion-channel In0.75Ga0.25As metal–oxide–semiconductor field-effect-transistors using UHV-Al2O3/Ga2O3(Gd2O3) and ALD-Al2O3 as gate dielectrics

Keywords: Ga2O3(Gd2O3); Al2O3; InGaAs; III–V; High-κ; Metal gate; UHV; ALD; Self-aligned; Inversion-channel; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electron transport in gated InGaAs and InAsP quantum well wires in selectively grown InP ridge structures

Keywords: InP; InAsP; InGaAs; Chemical beam epitaxy; Nanowire; Quantum wire; Ridge structure; Electron transport; Quantum dot; Selective growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High-k Al2O3 MOS structures with Si interface control layer formed on air-exposed GaAs and InGaAs wafers

Keywords: 73.40.Ty; 73.20.At; 73.61.Ey; Al2O3; MIS; Si ICL; GaAs; InGaAs; Hydrofluoric acid;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Atomic structure of the (4 Ã— 3) reconstructed InGaAs monolayer on GaAs(0 0 1)

Keywords: InGaAs; Wetting layer; InAs/GaAs; Scanning tunneling microscopy; Molecular beam epitaxy; Surface reconstruction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Comparative study of InGaAs integration on bulk Ge and virtual Ge/Si(1 0 0) substrates for low-cost photovoltaic applications

Keywords: Ge virtual substrates; InGaAs; Silicon; Photovoltaics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Analytical modeling and ATLAS simulation of N+-InP/n0-In0.53Ga0.47As/p+-In0.53Ga0.47As p-i-n photodetector for optical fiber communication

Keywords: InGaAs; p-i-n photodetector; Optical fiber communication; ATLAS simulation; Responsivity and detectivity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

A study of two-step growth and properties of In0.82Ga0.18As on InP

Keywords: InGaAs; MOCVD; Growth temperature

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Terahertz pulse emission from semiconductor surfaces illuminated by femtosecond Yb:KGW laser pulses

Keywords: 07.57.Hm; 42.65.Re; 87.50.U; 61.82.FkTerahertz; InAs; InSb; InGaAs; Ge; Electrical-field-induced optical rectification

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Metamorphic In0.7Al0.3As/In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic devices grown on graded InAsyP1−y buffers by molecular beam epitaxy

Keywords: InGaAs; TPV; MBE; Lattice-mismatch; InAsP; InAlAs; Window layer

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

QWIP Status at THALES

Keywords: Infrared detectors; QWIP; InGaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Molecular dynamics simulation comparison of atomic scale intermixing at the amorphous Al2O3/semiconductor interface for a-Al2O3/Ge, a-Al2O3/InGaAs, and a-Al2O3/InAlAs/InGaAs

Keywords: Density-functional theory; Amorphous oxides; Ge; InGaAs; InAlAs; Oxide-semiconductor stack; High-K oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه