![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
The improved resistive switching properties of TaOx-based RRAM devices by using WNx as bottom electrode
Keywords: حافظه بی ثبات; Tungsten nitride; Tantalum oxide (TaOx); Resistive switching; Filamentary conduction; Resistive memory (RRAM); Non-volatile memory