دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی + ترجمه فارسی

Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 73.40.Kp; 78.30.FsA1. Doping; A1. Free carrier optical absorption; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of external field on bond energy and activation barrier for surface diffusion

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 73.61.Ey; 71.20.NrA1. Diffusion; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

ZnO growth on Si with low-temperature ZnO buffer layers by ECR-assisted MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Dz; 81.15.Hi; 73.61.GaA1. Atomic force microscopy; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. ZnO buffer layer; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.66.–w; 85.30.Vw; 68.65.+gA1. Defects; A1. Lateral composition modulation; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wires; B2. Semiconductor III–V material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Influence of the strain on the formation of GaInAs/GaAs quantum structures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.67.He; 68.65.HbA2. Self-organized growth; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. Gallium arsenide compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MBE growth and optical properties of highly tensile-strained In1−xGaxAs/In0.52(Ga0.4Al0.6)0.48As multi-quantum-wells using digital alloy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.55.Cr; 78.67.De; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Interrelationships in the electronic and structural characteristics of strained InAs quantum well structures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Quantum wells; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth phenomena of Si and Si/Ge nanowires on Si (1 1 1) by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Heteroepitaxy of InSb films grown on a Si(0 0 1) substrate with AlSb buffer layer

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Atomic force microscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Heteroepitaxy of CdTe on tilting Si(2 1 1) substrates by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.−a; 61.10.−i; 81.05.Dz; 81.16.HiA1. High resolution X-ray diffraction; A1. Shear strain; A3. Molecular beam epitaxy; B1. CdTe; B1. Si

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Enhanced Curie temperature persisting between 100 and 200 K (∼50 K by theory) with Mn (∼0.290%) based on InMnP:Zn

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 75.50.Pp; 75.60.Ej; 61.72.VvA3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting indium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial growth of GaN thin film on Si substrate with InN as interlayer

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 78.55.CrA1. Photoluminescence; A3. Buffer layer; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B1. Nanomaterial; B2. InN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

X-rays diffraction on a new chromium oxide single-crystal thin film prepared by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 6855.A; 6110.Nz; 4160.ApA1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Selective growth of high quality InAs quantum dots in narrow regions using in situ mask

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 73.21.La; 78.55.Cr; 78.67.Hc; A1. Metal mask; A1. Selective area growth; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dot; B1. InAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Piezomodulated reflectance study of self-assembled InAs quantum dots-in-a-well

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.66.Fd; 78.55.Cr; A1. Dots-in-a-well; A1. Photoluminescence; A1. Piezomodulated reflectance; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Crystal structures of hexagonal MnAs ferromagnetic epilayers grown on GaAs (1 0 0) substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.55.−a; 78.20.−eA1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Transition of 3D to 2D growth modes of InAs grown on GaAs

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.10.Nz; 78.30.Fs; 71.55.Eq; A1. Low dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Study of lattice properties of Ga1−x Mnx N epilayers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy by means of optical techniques

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 71.55.Eq; 71.70.Ch; 78.30.Fs; 75.50.Pp; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. Raman scattering; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Perovskites; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of epitaxial γ-Al2O3(1 1 1) films with smooth surfaces on chemically oxidized Si(1 1 1) substrates using an Al–N2O mixed source molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 85.40.–e; 81.05.Je; 81.15.–zA1. Chemical oxide; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Epitaxial γ-Al2O3; B3. Ultra-large-scale integrated circuit

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of highly ordered relaxed InAs/GaAs quantum dots on non-lithographically patterned substrates by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. InAs quantum dots; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Anodized aluminum oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

In situ real-time analysis of the MBE growth of CdTe on Ge: A comparison of ellipsometry data analysis techniques

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Dz; 81.15.Hi; 78.30.Fs; A1. Optical properties; A3. Molecular beam epitaxy; B1. CdTe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Self-assembled InAs quantum dots grown on InP (3 1 1)B substrates: Role of buffer layer and amount of InAs deposited

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.05.EaA1. Atomic force microscopy; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting indium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MBE growth of highly strained InGaPN/GaPN quantum well with high indium content

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting quaternary alloys; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Observation of V-shaped defects in the growth of In0.8Al0.2Sb/InSb layers: Temperature and V/III flux ratio dependences

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 72.80.Ey; 68.37.Lp; 68.35.Ct; 61.72.Mm; And 61.72.Lk; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Surface-plasmon resonances in indium nitride with metal-enriched nano-particles

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 71.45.Gm; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 78.66.Fd; A1. Absorption; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

GaN-nanowhiskers: MBE-growth conditions and optical properties

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.07.Bc; 81.16.--Dn; 78.60.HkA1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Spontaneously grown GaN and AlGaN nanowires

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.07.Bc; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.37.Hk; 68.35.Ct; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth mechanisms of GaAs nanowires by gas source molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 68.70.+w; 81.10.Bk; 81.15.Hi; 81.16.Hc; 81.05.EaA1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nanowires; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.67.De; 81.15.Hi; 82.70.Uv; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Formation mode of self-assembled CdTe quantum dots directly grown on GaAs substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.07.Ta; 81.15.Hi; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optical and photoelectrical properties of ZnO thin films and the effects of annealing

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Optical characterisation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Integration of BaTiO3 on Si (0 0 1) using MgO/STO buffer layers by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 42.82.Et; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 77.80.−e; 81.15.HiA3. Epitaxial; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxide thin film; B2. BaTiO3; B2. Silicon; B3. Integration

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Ordered InAs QDs using prepatterned substrates by monolithically integrated porous alumina

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 85.40.HpA1. Nanostructures; A1. Patterned substrates; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting III-IV materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MBE growth optimization of InN nanowires

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.16.Dn; 78.55.Cr; 78.67.LtA1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth mode transfer of self-assembled CdSe quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.16.Ch; 68.55.Jk; 78.55.−m; 81.05.Dz; 81.15.Hi; A1. Atomic force microscopy; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Reflection high-energy electron diffraction study of molecular beam epitaxy growth of Pr2O3 on Si(0 0 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.14.Hg; 81.15.Hi; 77.84.−sA1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of Au(1 1 1) on α-Al2O3(0 0 0 1) by using a Co seed layer

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.14.Hg; 68.55.Jk; 81.15.HiA1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Metals; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy growth of indium nitride films on c-face zinc oxide substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.55.JkA1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitride; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of InN films by RF plasma-assisted MBE and cluster beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 78.20.Ci; 61.10.Nz; 81.15.HiA1. Effective mass; A1. k·p method; A1. Optical gap; A3. Cluster beam epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. InN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The effects of AlN buffer on the properties of InN epitaxial films grown on Si(1 1 1) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.35.Ct; 78.55.−mA1. Characterization; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium nitride; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

InN: A material with photovoltaic promise and challenges

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 78.66.Fd; 61.10.NzA1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B3. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Low-temperature atomic assembly of stoichiometric gallium arsenide from equiatomic vapor

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Kk; 82.20.Wt; 81.05.EaA1. Molecular dynamics simulation; A1. Stillinger–Weber potential; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Vapor deposition epitaxy; B1. Gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy growth of 1.55μm GaInNAs(Sb) double quantum wells with bright and narrow photoluminescence

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.10.Nz; 68.37.Lp; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Transmission electron microscopy; A2. Secondary ion mass spectrometry; A3. Molecular beam epitaxy; B2. GaInNAsSb; B2. InGaNAsSb;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of Fe-doped GaN by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 72.80.EyA1. Doping; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Negative differential resistance of pseudomorphic InGaAs quantum-wire FETs

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 73.21.Hb; 73.61.Ey; 73.50.Fq; 73.63.Nm; 81.15.Hi; 81.16.Dn; A1. Low-dimensional structure; A1. Nanostructures; A1. Negative differential resistance; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Pseudomorphic InGaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Near-infrared gain in GaSb quantum dots in Si grown by MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 42.60.Da; 78.55.Ap; 78.55.Cr; 78.66.Db; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Silicon-based optical amplifier;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

N-type doping of zinc selenide using a silver iodide thermal effusion source

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 81.15.Hi; 81.05.Dz; 73.61.Ga; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(1 1 1) and GaN templates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.72.−y; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 85.30.Tv; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMTs grown by MBE on Si(1 1 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.72.−y; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 85.30.Tv; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Band gap widening of MBE grown InN layers by impurity incorporation

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 73.20.At; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 81.40.Tv; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه