دانلود مقالات ISI درباره B2 مواد نیمه هادی III-V + ترجمه فارسی

Investigation of the “composition-pulling or lattice-latching” effect in LPE

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 73.61.Ey; 81.15.Lm; A1. Solidification; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of GaN/AlN multiple quantum wells for intersubband applications

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.05.Ea; 68.65.+g; 61.10.Kw; A1. FT-IR spectroscopy; A1. Intersubband transitions; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Multiple quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InN layers grown on silicon substrates: effect of substrate temperature and buffer layers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 78.55.Cr; 81.15Hi; A1. Crystal morphology; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InP-based quantum dash lasers for wide gain bandwidth applications

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 42.55.Px; 85.60.Bt; A1. Low-dimensional structures; A3. Self-organized growth; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dashes; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Active nitrogen species dependence on radiofrequency plasma source operating parameters and their role in GaN growth

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.H; 52.75.R; 81.15.G; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Daily calibration of InAs growth rates using pyrometry

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Hi; 78.20.−e; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High In content pseudomorphic InGaAs layers for high-mobility heterostructures on InP (0 0 1)

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 73.40.Kp; 73.61.Ey; A3. Molcular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Improvement of self-organized InAs quantum dots growth by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.65.+g; 71.55.Eq; 78.30.Fs; 81.15.Hi; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beamepitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Angular dependence of lateral growth rate and kink-step structure on InP surface during liquid phase epitaxial condition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Lm; A1. Crystal morphologies; A1. Growth models; A1. Surface structure; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of arsenic temperature on the structural and electrical characteristics of InAsSb layers grown on GaAs by hot wall epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 68.55.Jk; 61.10.Nz; A1. Surface morphology; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from vapor; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optical study of GaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition and pulsed laser deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Fg; 68.55.Jk; 78.55.−m; 78.47.+p; A1. Optical microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 61.72.Lk; 68.35.Bs; 68.65.+g; 81.15.Hi; A1. Stress; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Spontaneous and stimulated emission in quantum structures grown over bulk GaN and sapphire

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 78.45.+h; 78.47.+p; 78.67.De; A1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Accurate tuning of emission of GaInAsP/InP heterostructures in multiwafer gas-source molecular-beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 81.07.St; A1. Multiwafer growth; A3. Gas source molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. InGaAsP/InP lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Control of Mg doping of GaN in RF-plasma molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Defect formation mechanism in beam-induced lateral epitaxy on (1 1 1)B GaAs substrate

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.55.Ac; 61.72.Cc; 61.72.Mm; 68.37.Hk; 68.37.Ps; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Strain-compensated AlAs/(In,Ga)As heterostructures for short-wavelength intersubband absorption and laser emission

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 42.60.-v; 81.15.Hi; 42.55.Px; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

GaAs facet formation and progression during MBE overgrowth of patterned mesas

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Ho; 81.15.Aa; 68.55.-a; 68.35.Md; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-density, uniform gallium nitride nanorods grown on Au-coated silicon substrate

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.10.Bk; A1. Nanostructures; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A comparison between GaAs and AlAs deposition on patterned substrates

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Hi; 81.16.Dn; 68.65.Ac; A1. Diffusion; A1. Low dimensional structures; A1. Patterned substrates; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(0 0 1) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layer

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.55.−a; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 78.60.Hk; 81.15.Hi; A1. Cathodo-luminescence; A1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium Nitride; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of layer thickness of immiscible alloy In0.52Al0.48As on the morphology of InAs nanostructure grown on In0.52Al0.48As/InP (0 0 1)

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 78.55.Cr; 68.55.−a; 64.75.+g; 78.67.−n; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of various annealing temperatures on microstructure evolution of oxidized Ni/Au ohmic contact to p-GaN studied by synchrotron X-ray diffraction

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 73.40.Cg; 81.40.Ef; 73.61.Ey; A1. X-ray diffraction; B1. Gallium compounds; B1. Metals; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ordering of quantum dot molecules by self-organization

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.05.Ea; 73.40.Kp; 81.15.Hi; 78.67.Hc; 78.67.Lt; 68.55.Jk; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V Materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ordered InAs quantum dots on pre-patterned GaAs (0 0 1) by local oxidation nanolithography

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A1. Patterned substrates; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Initial growth stage of GaSb on Si(0 0 1) substrates with AlSb initiation layers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.55.−a; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Field emission properties of self-assembled InN nano-structures: Effect of Ga incorporation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Gh; 68.55.Jk; 68.37.Sk; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nanostructure formation and emission characterization of blue emission InN/GaN quantum well with thin InN well layers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 61.72.Ff; 68.55.Ln; 68.55.−a; A1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Shape transition from InAs quantum dash to quantum dot on InP(3 1 1)A

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.16.Dn; A1. Low dimensional structures; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Compositional grading in distributed Bragg reflectors, using discrete alloys, in vertical-cavity surface-emitting lasers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Hi; 73.61.Ey; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Distributed Bragg reflector; B3. Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Improvement of the structural and electrical properties of InAsSb epilayer using Sb-rich InAsSb buffer layer grown by hot wall epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 68.55.Jk; 61.10.Nz; A1. Surface morphology; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from vapor; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-quality GaInAs/AlAsSb quantum cascade lasers grown by molecular beam epitaxy in continuous growth mode

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides, B1. Arsenides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solid state lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Defect-free 50-layer strain-balanced InAs quantum dots grown on InAlGaAs/InP for infrared photodetector applications

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.65.Hb; 78.67.Hc; 81.07.Ta; 81.15.Hi; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of InAs/In0.52Al0.48As self-assembled quantum wires on InP(0 0 1)

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 61.82.Fk; 61.14.Nm; 68.55.Jk; 68.55.Nq; 68.65.+g; A1. High-resolution transmission electron microscopy; A1. Nanostructures; A1. Optical properties; A3. InAs quantum wire; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-power 1.3μm InAs/GaInAs/GaAs QD lasers grown in a multiwafer MBE production system

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.H; 85.30.V; 85.60.J; 42.55.S; A1. Low-dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural studies of a combined InAlAs-InGaAs capping layer on 1.3-μm Inas/GaAs quantum dots

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.35.Dv; 68.37.Lp; 68.55.Ac; 68.65.Hb; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.Hi; A1. Characterisation; A1. Nanostructures; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Engineering lateral composition modulation in GaAsSb multilayers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.65.Cd; 68.55.Nq; A1. Composition modulation; A1. Morphological stability; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Microstructural and optical properties dependent on the strain in double-stacked InAs/GaAs quantum dots

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.65.−a; 68.55.JK; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optimization of 1.3 μm metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.15.Hi; 78.67.Dc; 68.55.Jk; A1. Metamorphic growth; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Surface morphology of AlN and size dispersion of GaN quantum dots

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.16.Dn; 68.37.Ps; 68.55.Jk; A1. Crystal morphology; A3.Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In situ etching of InGaAsP/InP by using HCl in an MOVPE reactor

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Etching; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In situ monitoring of growth rate and composition of AlGaInP and InGaAsP by reflection measurements in MOVPE

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 78.40.Fy; 78.20.Bh; 78.20.Ci; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.70.Fy; A1. Characterization; A1. In situ monitoring; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Single crystal growth of GaN using a Ga melt in Na vapor

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81.05.Ea; 81.10.Dn; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Measurement of growth rate by thermal pulse technique and growth of homogeneous InxGa1−xSb bulk crystals

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 47.27.Te; 81.10.−h; A1. Convection; A2. Growth from solution; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of InxGa1−xAs strain release layers on the microstructural and interband transition properties of InAs/GaAs quantum dots

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 81. 07. Ta; 78. 55. Cr; 61.46. tw; A1. Nanostructures; A3. Atomic layer epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InAs quantum dots grown on InGaAs buffer layers by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.65.+g; 81.15.Gh; 68.55.Jk; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Nanostructures; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InGaAlAs selective-area growth on an InP substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 42.55.Px; 81.15.Gh; 81.15Kk; A3. Low pressure; metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium phosphide; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A comparative study of the growth mechanism of InAs/GaAs and GaP/GaAs heterostructures and strained layered superlattices by atomic layer epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 68.55.−a; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Growth method; A3. Atomic layer epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characteristics of back-illuminated visible-blind UV photodetector based on AlxGa1−xN p-i-n photodiodes

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Heat resolution X-ray diffraction; A2. Growth from high temperature solutions; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Hetero-junction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and photoluminescence characteristics of molecular beam epitaxy-grown vertically aligned In0.33Ga0.67As/GaAs quantum dots

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه