![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Effectiveness of non-linear graded buffers for In(Ga,Al)As metamorphic layers grown on GaAs (0Â 0Â 1)
Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; 61.10.Nz; 61.72.Ff; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Line defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;