دانلود مقالات ISI درباره B2 مواد نیمه هادی III-V + ترجمه فارسی

Structural and morphological qualities of InGaN grown via elevated pressures in MOCVD on AlN/Si(111) substrates

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. AlN; A1. InGaN; A1. Suppression of phase separation; A3. Metal organic chemical vapour deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of continuously or step-continuously graded buffer on the performance of wavelength extended InGaAs photodetectors

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Plasma-assisted molecular beam epitaxy process combined with a liquid phase electroepitaxy, a novel method for the growth of GaN layers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study on nitrogen-induced defects formation and annealing effects in TlInGaAsN alloysystem

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of compressive strain relaxation on surface morphology in GaAsP growth on GaP substrate

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Control of magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As with etching depth of specimen boundaries

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Stresses; B1. Gallium compounds; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of dilute BGaP alloys by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting dilute boride III-V systems;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Quantitative estimation of density of Bi-induced localized states in GaAs1−xBix grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n junctions grown by RF-MBE using modulated nitrogen radical beam source

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical properties of InAsSbN single quantum wells grown on InP substrates for 2-μm-wavelength region

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

AP-MOVPE GaInSb: Influence of V/III ratio on quality and indium incorporation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A2. Growth from vapour; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High power (>5 W) λ∼9.6 μm tapered quantum cascade lasers grown by OMVPE

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Quantum cascade lasers; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Phase control of semi-polar (112¯2) and non-polar (112¯0) GaN on cone shaped r-plane patterned sapphire substrates

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nucleation; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

InGaAs/AlInAs strain-compensated Superlattices grown on metamorphic buffer layers for low-strain, 3.6 μm-emitting quantum-cascade-laser active regions

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Arsenates; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Vapor-phase epitaxial growth of GaN films using Ga2O vapor and NH3

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; A3. Vapor Phase Epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

2 dimensional electron gas uniformity of GaN HFET layers on SiC

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Characterisation; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V Materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

On the formation of vacancy defects in III-nitride semiconductors

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Characterization; A1. Defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Selective area molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (110) masked substrates for direct fabrication of planar nanowire field-effect transistors

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Surface evolution of NaCl-type cubic AlN films on MgO (100) substrates deposited by laser molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Crystal structure; A1. Surfaces; A3. Laser epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Lift-off of epitaxial GaN by regrowth over nanoporous GaN

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Plasma-assisted electroepitaxy of GaN layers from the liquid Ga melt

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Liquid-phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Mushroom structure of GaN template for epitaxial growth of GaN

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Mass transfer; A2. Single crystal growth; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of InN nanorods prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy with varying Cr thicknesses

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A2. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of strain on the Dresselhaus effect of InAs-based heterostructures

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Low dimensional structures; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth temperature dependence of strain relaxation during InGaAs/GaAs(0 0 1) heteroepitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Mechanism and applications of local droplet etching

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Controlled growth of exciton-polariton microcavities using in situ spectral reflectivity measurements

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Polaritons; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Microcavities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth by molecular beam epitaxy of amorphous and crystalline GaNAs alloys with band gaps from 3.4 to 0.8 eV for solar energy conversion devices

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Role of strain in growth kinetics of AlGaN layers during plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy as a method for the growth of free-standing bulk zinc-blende GaN and AlGaN crystals

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Composition uniformity of site-controlled InAs/GaAs quantum dots

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Characterization; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nanoimprint lithography patterned GaAs templates for site-controlled InAs quantum dots

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A1. Low dimensional structures; A1. Surface structure; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Site-controlled In(Ga)As/GaAs quantum dots for integration into optically and electrically operated devices

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Quantum dots; A2. Site-controlled growth; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Bandgap engineering of 1.3 μm quantum dot structures for terahertz (THz) emission

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenates; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optimization of InGaAsN(Sb)/GaAs quantum dots for optical emission at 1.55 μm with low optical degradation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of In and As fluxes on growth of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(0 0 1)

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Low dimensional structures; A1. Nucleation; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: The effect of temperature

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The structural and optical properties of selectively grown a-plane GaN with LT-GaN and HT-AlN buffer layers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Selective epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitride; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of nanodots, nanowires, and multi-quantum wells of III-nitride grown by MOVPE nano-selective area growth

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective area growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A comparative precursor study of the growth behavior of InSb using metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Crystal morphology; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

MOVPE growth and properties of light emitting diodes with an incorporated InMnAs ferromagnetic layer

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characterization and optimization of 2-step MOVPE growth for single-mode DFB or DBR laser diodes

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High material-efficiency MOVPE of GaAs without degradation of photovoltaic performances

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Crystal morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Wurtzite AlxGa1−xN bulk crystals grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Quantum dots; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of vicinal off-cut substrates on the basal stacking fault density in nonpolar a-GaN epilayers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Planar defects; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hydrogen etching of GaN and its application to produce free-standing GaN thick films

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Hydrogen etching; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. Interfaces; A1. Low dimensional structures; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه