![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Structural and morphological qualities of InGaN grown via elevated pressures in MOCVD on AlN/Si(111) substrates
Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A1. AlN; A1. InGaN; A1. Suppression of phase separation; A3. Metal organic chemical vapour deposition; B2. Semiconducting III-V materials;