![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
In-situ monitoring during MBE growth of InAs based heterostructures
Keywords: B2 مواد نیمه هادی III-V; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenides; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;