![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Growth kinetics of stoichiometric SiC layers formed by high fluence carbon implantation into silicon using a metal vapor vacuum arc ion source
Keywords: تغییر فاز; 61.72.Tt; 61.80.Jh; 81.30.Hd; 33.20.Ea; SiC; Implantation; Phase transformation; Infrared absorption;