دانلود مقالات ISI درباره تعویض مقاومت + ترجمه فارسی

The improved resistive switching properties of TaOx-based RRAM devices by using WNx as bottom electrode

Keywords: تعویض مقاومت; Tungsten nitride; Tantalum oxide (TaOx); Resistive switching; Filamentary conduction; Resistive memory (RRAM); Non-volatile memory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Conductance spectroscopy of resistive switching Pt/Nb:STO single crystal Schottky junctions in air and vacuum

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; SrTiO3; Interface trap state; Conductance spectroscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The resistive switching characteristics in TaON films for nonvolatile memory applications

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; Nonvolatile memory; Tantalum oxynitride (TaON)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of firing atmosphere and bottom electrode on resistive switching mode in TiO2 thin films

Keywords: تعویض مقاومت; TiO2; Resistive switching; Sol–gel; Space-charge-limited

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

A study of resistive switching property in Pr0.7Ca0.3MnO3, CaMnO3, and their bi-layer films

Keywords: تعویض مقاومت; PCMO; CMO; Bi-layer; Resistive switching; ReRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Electrical characterizations of resistive random access memory devices based on GaV4S8 thin layers

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; Non-volatile memory; Chalcogenide; Mott insulator; Sulfide; Correlated electron; Lacunar spinel; MIM structure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Resistive switching in Nb-doped SrZrO3 memory films: An effective approach with a Cu modulation layer

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; SrZrO3; Copper oxide; Conduction mechanism

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Fabrication of printed memory device having zinc-oxide active nano-layer and investigation of resistive switching

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; Bistable device; Inkjet printing; Electrohydrodynamics; Zinc oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Investigation on switching behavior of ZrO2 thin film for memory device applications

Keywords: تعویض مقاومت; Zirconium oxide; Thin film; Resistive switching; Electrohydrodynamic inkjet printing; X-ray diffraction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

TiO2-based structures for nanoscale memory applications

Keywords: تعویض مقاومت; Thin oxide films; Atomic layer deposition; DRAM; Resistive switching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Programmable metallization cells based on amorphous La0.79Sr0.21MnO3 thin films for memory applications

Keywords: تعویض مقاومت; Amorphous thin film; La0.79Sr0.21MnO3 (LSMO); Programmable metallization cell (PMC); Resistive switching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Unipolar resistive switching behavior in Dy2O3 films for nonvolatile memory applications

Keywords: تعویض مقاومت; Forming-free; Resistive switching; Dysprosium oxide; Ru/Dy2O3/TaN; Ohmic behavior; Poole–Frenkel emission; Sputtering

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effects of oxygen stoichiometry on resistive switching properties in amorphous tungsten oxide films

Keywords: تعویض مقاومت; Tungsten oxide; Sputtering; Resistive switching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Resistive switching characteristics of NiO/Ni nanostructure

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; ReRAM; Nanowire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Resistive switching induced on a glass plate by ion beam irradiation

Keywords: تعویض مقاومت; Beam guiding; Resistive switching; Slow highly charged ion beam; Insulator;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Resistive switching characteristics in HfOx layer by using current sweep mode

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; Conductive filament; Current sweep; Nonvolatile memory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

High-resolution transmission electron microscopy study on bipolar resistive switching behavior in TiO2 thin films

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; HRTEM; TiO2; Sol–gel

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Electrode engineering for improving resistive switching performance in single crystalline CeO2 thin films

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; CeO2; Retention; Schottky barrier

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Temperature-dependent resistive switching of amorphous carbon/silicon heterojunctions

Keywords: تعویض مقاومت; Amorphous carbon; Heterojunction; Resistive switching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Intrinsic and extrinsic resistive switching in a planar diode based on silver oxide nanoparticles

Keywords: تعویض مقاومت; Nanoparticles; Resistive switching; Non-volatile memory;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Hopping and trap controlled conduction in Cr-doped SrTiO3 thin films

Keywords: تعویض مقاومت; SrTiO3 thin films; Resistive switching; Electrical transport; Variable range hopping; Space charge limited conduction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Resistive switching characteristics of ZnO based ReRAMs with different annealing temperatures

Keywords: تعویض مقاومت; Thin films; Resistive switching; Annealing temperature

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Magnetism and electrode dependant resistive switching in Ca-doped ceramic bismuth ferrite

Keywords: تعویض مقاومت; BiFeO3; Multiferroics; Resistive switching; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Mechanisms of current conduction in Pt/BaTiO3/Pt resistive switching cell

Keywords: تعویض مقاومت; Barium titanate; Resistive switching; Thin films; Conduction mechanism; Sputtering

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Filamentary resistive switching in amorphous and polycrystalline Nb2O5 thin films

Keywords: تعویض مقاومت; Niobium pentoxide; Resistive switching; Resistive RAM; Crystalline; Amorphous; Schottky diode

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Non-volatile memory device using a polymer modified nanocrystal

Keywords: تعویض مقاومت; 73.40.Qv; 68.35.DvNanocrystals; Resistive switching; Non-volatile memories

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Bipolar resistance switching in the Pt/WOx/W nonvolatile memory devices

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; WOx; Multi-bit operation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Improved resistive switching properties in Pt/Pr0.7Ca0.3MnO3/Y2O3-stabilized ZrO2/W via-hole structures

Keywords: تعویض مقاومت; ReRAM; Resistive switching; Manganites thin film; Tunneling barrier;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Dependence of resistive switching behaviors on oxygen content of the Pt/TiO2−x/Pt matrix

Keywords: تعویض مقاومت; ReRAM; Nonvolatile memory; Resistive switching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Bipolar resistive switching in oxides: Mechanisms and scaling

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; Mechanism; Scaling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The influence of crystallinity on the resistive switching behavior of TiO2

Keywords: تعویض مقاومت; TiO2; Titanium dioxide; Resistive switching; Resistive RAM; Rutile; Amorphous; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Resistive hysteresis and capacitance effect in NiFe2O4/SrTiO3: Nb(1 wt%) junctions

Keywords: تعویض مقاومت; 73.40.Qv; 84.32.Tt; 81.15.Cd; Epitaxial NiFe2O4 ultrathin films; Resistive switching; Capacitance effect;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Pt/Ti/Al2O3/Al tunnel junctions exhibiting electroforming-free bipolar resistive switching behavior

Keywords: تعویض مقاومت; Memory device; Resistive switching; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The electrical and magnetic properties of epitaxial orthorhombic YMnO3 thin films grown under various oxygen pressures

Keywords: تعویض مقاومت; YMnO3; Oxygen vacancy; Leakage current; Magnetic; Resistive switching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Resistive switching characteristics of solution-processed TiOx for next-generation non-volatile memory application; transparency, flexibility, and nano-scale memory feasibility

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; ReRAM; Titanium oxide; Solution-process; Sol–gel; Transparent; Flexible; Nano-scale; Via-hole

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Critical role of top interface layer on the bipolar resistive switching of Al/PEDOT:PSS/Al memory device

Keywords: تعویض مقاومت; PEDOT:PSS; TEM; In-situ XPS; Resistive switching; Memory device

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Resistive switching behavior of (Zn1−xMgx)O films prepared by sol–gel processes

Keywords: تعویض مقاومت; Zinc magnesium oxide; Thin films; Resistive switching; Sol-gel deposition; X-ray diffraction; Electrical properties and measurements.

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of the effect of different oxygen partial pressure to LaAlO3 thin film properties and resistive switching characteristics

Keywords: تعویض مقاومت; Lanthanum aluminate; Resistive switching; Switching memory; Oxygen partial pressure; LaAlO3; Pulsed laser deposition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Alternative resistive switching mechanism based on migration of charged counter-ions within conductive polymers

Keywords: تعویض مقاومت; PANI; Resistive switching; Electro-migration; Organic memory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The thermal stability of Pt/Ir coated AFM tips for resistive switching measurements

Keywords: تعویض مقاومت; Atomic force microscopy; Tip temperature stability; Pt coating; Resistive switching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Mechanism and characterizations studies of resistive switching effects on a thin FeOx-transition layer of the Ti/TiN/SiO2/FeOx/FePt structure by thermal annealing treatments

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; Iron oxide; Annealing effect; Nonvolatile memory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Resistive switching-like behavior of the dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks in MOSFETs

Keywords: تعویض مقاومت; MOS devices; High-k; Dielectric breakdown reversibility; Leakage current; Reliability; Resistive switching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Materials and process aspect of cross-point RRAM (invited)

Keywords: تعویض مقاومت; ReRAM; Cross-point; Resistive switching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Resistance change in memory structures integrating CuTCNQ nanowires grown on dedicated HfO2 switching layer

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; Memory devices; CuTCNQ complex; Conductive-AFM; Redox process;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Resistance switching study of stoichiometric ZrO2 films for non-volatile memory application

Keywords: تعویض مقاومت; Resistive switching; Stoichiometric zirconium; Non-volatile memory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Reproducible unipolar resistive switching behaviors in the metal-deficient CoOx thin film

Keywords: تعویض مقاومت; CoOx; Resistive switching; Nonvolatile memory; ReRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Bipolar resistive switching characteristics of poly(3,4-ethylene-dioxythiophene): Poly(styrenesulfonate) thin film

Keywords: تعویض مقاومت; PEDOT:PSS; Resistive switching; TEM; EDS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

TiN electrode-induced bipolar resistive switching of TiO2 thin films

Keywords: تعویض مقاومت; ReRAM; Nonvolatile memory; Resistive switching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electrode effect on resistive switching of Ti-added amorphous SiOx films

Keywords: تعویض مقاومت; Amorphous SiOx; Ti-addition; Resistive switching; Filamentary conduction; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of the top electrode material on the resistive switching of TiO2 thin film

Keywords: تعویض مقاومت; Titanium dioxide; Resistive switching; Resistive RAM; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه