دانلود مقالات ISI درباره Rram + ترجمه فارسی

Proton exchange reactions in SiOx-based resistive switching memory: Review and insights from impedance spectroscopy

Keywords: Proton exchange; Resistive switching; Silicon oxide; Non-polar; RRAM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 36 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Conductive filament evolution in HfO2 resistive RAM device during constant voltage stress

Keywords: RRAM; CVS; Conductive filament; Reliability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Resistive switching of reactive sputtered TiO2 based memristor in crossbar geometry

Keywords: Memristor; Metal oxide; TiO2; Resistive ram; RRAM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Crossbar array of selector-less TaOx/TiO2 bilayer RRAM

Keywords: RRAM; Crossbar array; Forming-free; Self-rectifying; Bilayer; TiO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Resistive switching in CeO2/La0.8Sr0.2MnO3 bilayer for non-volatile memory applications

Keywords: Resistive switching; Non-volatile memory; RRAM; LSMO; CeO2−x;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of Al doping on the retention behavior of HfO2 resistive switching memories

Keywords: RRAM; Hafnium oxide; Aluminum; Doping; Retention;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Resistive switching behaviors of Cu/TaOx/TiN device with combined oxygen vacancy/copper conductive filaments

Keywords: RRAM; CBRAM; Resistive switching; TaOx; Conductive filament

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Statistics of retention failure in the low resistance state for hafnium oxide RRAM using a Kinetic Monte Carlo approach

Keywords: Conductive filament; Diffusion barrier; Markov model; Retention failure; RRAM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Causes and consequences of the stochastic aspect of filamentary RRAM

Keywords: RRAM; RTN; Stochastic events;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Statistical analysis of random telegraph noise in HfO2-based RRAM devices in LRS

Keywords: RRAM; RTN; FHMM; Cycling; Variability; Resistive switching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Comparison of oxygen vacancy defects in crystalline and amorphous Ta2O5

Keywords: Ta2O5; RRAM; Oxygen vacancy; DFT; Diffusion; Switching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Investigation of process parameter variation in the memristor based resistive random access memory (RRAM): Effect of device size variations

Keywords: Memristor; RRAM; Memory window; Reliability; Monte-Carlo

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Numerical study of read scheme in one-selector one-resistor crossbar array

Keywords: RRAM; Selector; Crossbar array; Read scheme; 1S1R

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Impact of oxygen composition of ZnO metal-oxide on unipolar resistive switching characteristics of Al/ZnO/Al resistive RAM (RRAM)

Keywords: ZnO; Resistive RAM; RRAM; Oxygen gas flow ratio; Oxygen composition; Switching mechanism;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Rutherford forward scattering and elastic recoil detection (RFSERD) as a method for characterizing ultra-thin films

Keywords: Thin films; Memristor; RRAM; Rutherford forward scattering; Elastic recoil detection;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Oxide based two diodes–one resistor structure for bipolar RRAM crossbar array

Keywords: Oxide diode; Bipolar selector; RRAM; Crossbar array

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

HfOx as RRAM material – First principles insights on the working principles

Keywords: HfO2; RRAM; Switching mechanism

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

A study on HfO2 RRAM in HRS based on I–V and RTN analysis

Keywords: RRAM; RTN; FHMM; Resistive switching; HRS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Three-state resistive switching in HfO2-based RRAM

Keywords: Resistive switching; Quantum wire; RRAM; Non-voltatile memories

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Improvement mechanism of resistance random access memory with supercritical CO2 fluid treatment

Keywords: Supercritical fluid; RRAM; Hydration–dehydration reaction; Tin doping

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Analysis of metal insulator transitions in VO2 and V2O3 for RRAMs

Keywords: RRAM; Metal insulator transition; VO2; V2O3; Calculation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Selector-less RRAM with non-linearity of device for cross-point array applications

Keywords: RRAM; Cross-point array; Selector;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of dielectric crystallinity on the resistive switching characteristics of ZrTiOx-based metal-insulator-metal devices

Keywords: Crystalline ZrTiOx; Nonvolatile memory; RRAM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Interface engineering for low power and uniform resistive switching in bi-layer structural filament type ReRAM

Keywords: RRAM; Interface engineering; Uniformity; Low power operation; Bi-layer structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Scaled X-bar TiN/HfO2/TiN RRAM cells processed with optimized plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) for TiN electrode

Keywords: HfO2; RRAM; Bipolar switching; Plasma pre-treatment; PEALD TiN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characterization of gadolinium oxide thin films with CF4 plasma treatment for resistive switching memory applications

Keywords: RRAM; CF4 plasma; XPS; UPS; UV-VIS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Reversible transition of resistive switching induced by oxygen-vacancy and metal filaments in HfO2

Keywords: RRAM; Filament; Multi-level-cell; Resistive switching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Role of oxygen vacancies in the resistive switching of SrZrO3 for resistance random access memory

Keywords: Resistive switching; RRAM; SrZrO3; Oxygen vacancies

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Nonpolar electrical switching behavior in Cu–Si(Cu)Ox–Pt stacks

Keywords: Resistive switching; SiOx; Nonpolar switching; Cu-doping; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Influence of forming process on resistance switching characteristics of In2O3/SiO2 bi-layer

Keywords: RRAM; Effect of forming process; Indium diffusion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Resistive switching characteristics of gallium oxide for nonvolatile memory application

Keywords: RRAM; Gallium oxide; Oxygen vacancies

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Resistive switching in zinc–tin-oxide

Keywords: Memristor; RRAM; Resistive switching; Amorphous oxide semiconductors; Transparent electronics; Zinc–tin-oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ge2Sb2Te5 layer used as solid electrolyte in conductive-bridge memory devices fabricated on flexible substrate

Keywords: Non-volatile memory; RRAM; Conductive-bridge memory; Atomic switches; Atomic force microscopy; Flexible electronics; Ge2Sb2Te5; GST

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Resistive switching characteristics of multilayered (HfO2/Al2O3)n n = 19 thin film

Keywords: Multilayer; Stacked oxide; Resistive memory; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Highly uniform low-power resistive memory using nitrogen-doped tantalum pentoxide

Keywords: Hopping conduction; Uniformity; TaON; RRAM; GeOx

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Annealing effect on the bipolar resistive switching behaviors of BiFeO3 thin films on LaNiO3-buffered Si substrates

Keywords: 73.40.Qv; 74.78.Fk; 77.80.Fm; 73.61.−r; 81.20.FwResistance switching; RRAM; BiFeO3; Annealing effect

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Magnetism and electrode dependant resistive switching in Ca-doped ceramic bismuth ferrite

Keywords: BiFeO3; Multiferroics; Resistive switching; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Resistive switching characteristics of ultra-thin TiOx

Keywords: TiOx; Schottky barrier; Ultra-thin; ReRAM; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Resistive switching characteristics of ytterbium oxide thin film for nonvolatile memory application

Keywords: Nonvolatile resistance switching memory; RRAM; Yb2O3; Forming

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The influence of crystallinity on the resistive switching behavior of TiO2

Keywords: TiO2; Titanium dioxide; Resistive switching; Resistive RAM; Rutile; Amorphous; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Improved switching uniformity of a carbon-based conductive-bridge type ReRAM by controlling the size of conducting filament

Keywords: Carbon; Uniformity; ReRAM; RRAM; Resistive memory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Pt/Ti/Al2O3/Al tunnel junctions exhibiting electroforming-free bipolar resistive switching behavior

Keywords: Memory device; Resistive switching; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Charge-based nonvolatile memory: Near the end of the roadmap?

Keywords: Flash; Memory; Floating gate; Charge trap flash; TANOS; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Resistive switching behavior of La-doped ZnO films for nonvolatile memory applications

Keywords: La-doped ZnO; MIM; CE; RRAM; Filament theory; Interface effect

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of ultraviolet light exposure on a HfOx RRAM device

Keywords: UV light; ITO; RRAM; Resistive memory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electrode effect on resistive switching of Ti-added amorphous SiOx films

Keywords: Amorphous SiOx; Ti-addition; Resistive switching; Filamentary conduction; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The effect of plasma deposition on the electrical characteristics of Pt/HfOx/TiN RRAM device

Keywords: Sputter; Damage; HfOx; RRAM; Voltage dispersion; Intermediate resistance state

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of the top electrode material on the resistive switching of TiO2 thin film

Keywords: Titanium dioxide; Resistive switching; Resistive RAM; RRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Nonvolatile resistive switching memories-characteristics, mechanisms and challenges

Keywords: resistive switching; nonvolatile memory; RRAM; filament; redox reaction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Organic nonpolar nonvolatile resistive switching in poly(3,4-ethylene-dioxythiophene): Polystyrenesulfonate thin film

Keywords: 73.50.Fq; 73.61.Ph; 84.37.+q; 85.65.+hOrganic memory; RRAM; Resistive switching; PEDOT: PSS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه