![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
Keywords: سیلیکون بر روی مقره; Silicon-on-insulator; Recessed source/drain SOI; Two-dimensional (2D) Poisson’s equation; Potential distribution; Short channel effects; Threshold voltage