![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Comprehensive study of the statistical variability in a 22 nm fully depleted ultra-thin-body SOI MOSFET
Keywords: سیلیکون بر روی مقره; Silicon-on-insulator; Random dopant fluctuations; Line-edge-roughness; Work-function-variability