دانلود مقالات ISI درباره بالا K + ترجمه فارسی

Electrical characteristics of polycrystalline Si layers embedded into high-k Al2O3 gate layers

Keywords: بالا K; 77.55.+f; 85.50.−n; 73.40.Qv; Alumina; Polycrystalline silicon; Memory; High-k;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Physical and electrical characterization of high-k ZrO2 metal-insulator-metal capacitor

Keywords: بالا K; High-k; Metal-insulator-metal (MIM); Capacitor; Leakage current; Impurities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

X-ray metrology for high-k atomic layer deposited HfxZr1−xO2 films

Keywords: بالا K; High-k; Hafnium; Zirconium; ALD; X-ray; XRR; Metrology;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Evolution of chemical states within the HfO2/Si(1 0 0) interface upon annealing, prepared by direct electron beam evaporation

Keywords: بالا K; High-k; Silicon; Photoelectron spectroscopy; Photoelectron diffraction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

An optical study of alumina films thermal evolution upon ammonia annealing

Keywords: بالا K; Alumina; High-k; Ellipsometry

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A quantum mechanical mobility model for scaled NMOS transistors with ultra-thin high-K dielectrics and metal gate electrodes

Keywords: بالا K; Quantum mechanical; Electron mobility; Inversion; High-K; Metal gate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Atomic oxygen-assisted molecular beam deposition of Gd2O3 films for ultra-scaled Ge-based electronic devices

Keywords: بالا K; High-k; Germanium; Gadolinium oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Origin of flat band voltage shift in HfO2 gate dielectric with La2O3 insertion

Keywords: بالا K; Metal gate; High-k; Flat band voltage; HfO2; La2O3; Electronegativity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Impact of the gate stack on the electrical performances of 3D multi-channel MOSFET (MCFET) on SOI

Keywords: بالا K; 3D MCFET; Metal gate; High-K; Mobility; Gate leakage; NBTI

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy

Keywords: بالا K; MOS; High-k; HfO2; Gd2O3; Capacitance frequency spectroscopy; Capture cross section

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

105 nm Gate length pMOSFETs with high-K and metal gate fabricated in a Si process line on 200 mm GeOI wafers

Keywords: بالا K; Germanium; Germanium-on-insulator; GeOI; MOSFET; High-K

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Investigation of voltage-swing effect and trap generation in high-k gate dielectric of MOS devices by charge-pumping measurement

Keywords: بالا K; High-k; Gate dielectric; MOS devices; Charge-pumping

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structure determination of three-dimensional hafnium silicide nano structures on Si(1 0 0) by means of X-ray photoelectron diffraction

Keywords: بالا K; High-k; Nanowires; Photoelectron spectroscopy; Photoelectron diffraction; AFM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Evaluation of HfAlO high-k materials for control dielectric applications in non-volatile memories

Keywords: بالا K; Non-volatile memories; High-k; Interpoly dielectrics; Control dielectrics; Hafnium aluminate; HfAlO; Silicon nanocrystals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Aqueous solution–gel preparation of ultrathin ZrO2 films for gate dielectric application

Keywords: بالا K; ZrO2; Aqueous solution–gel route; Citric acid content; Ultrathin films; High-k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

SrTiO3–SiO2 oxide films for possible high-k gate dielectric applications

Keywords: بالا K; High-k; Gate oxide; Leakage current; Dielectric constant

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Challenges and performance limitations of high-k and oxynitride gate dielectrics for 90/65 nm CMOS technology

Keywords: بالا K; Gate dielectric materials; SiON; HfSiON; HfO2; High-k; Mobility; Reliability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoelectron diffraction study and structure determination of ultrathin hafnium silicide layers on silicon(1 0 0) using Mg Kα radiation and synchrotron light

Keywords: بالا K; Photoelectron spectroscopy; Photoelectron diffraction; High-k; Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped amorphous SiO2 films as gate dielectric material

Keywords: بالا K; 77.55.+f; 73.40.Qv; 81.15.Fg; High-k; Gate dielectric; La2O3 doped SiO2; PLD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation of MOS capacitors and SOI–MOSFETs with epitaxial gadolinium oxide (Gd2O3) and titanium nitride (TiN) electrodes

Keywords: بالا K; High-k; Rare earth oxide; CMOS; Metal gate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Low-voltage organic thin film transistors with hydrophobic aluminum nitride film as gate insulator

Keywords: بالا K; OTFTs; AlN; Pentacene; High-k; Sputtering; Contact angle; Surface energy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Integration of HfxTayN metal gate with SiO2 and HfOxNy gate dielectrics for MOS device applications

Keywords: بالا K; MOS; HfxTayN; HfOxNy; Thermal stability; Metal gate; High-k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Thermal stability studies for advanced Hafnium and Zirconium ALD precursors

Keywords: بالا K; 61.18.Fs; 81.70.Pg; 82.33.Ya; ALD; High-K; Precursors; Stability; TGA; NMR;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Epitaxial multi-component rare earth oxide for high-K application

Keywords: بالا K; High-K; Oxide; Epitaxy; MBE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation of hafnium-aluminate alloys in view of integration as interpoly dielectrics of future Flash memories

Keywords: بالا K; Non-volatile memories; High-k; Interpoly dielectrics; Hafnium-aluminate; HfAlO; Poole-Frenkel;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Gate induced floating body effects in TiN/SiON and TiN/HfO2 gate stack triple gate SOI nFinFETs

Keywords: بالا K; Silicon on insulator (SOI); FinFETs; Floating body effect (FBE); Gate induced floating body effect (GIFBE); Drain current transients; Generation/recombination lifetimes; High-k; Metal gate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Integration issues of high-k and metal gate into conventional CMOS technology

Keywords: بالا K; High-k; Metal gate; Integration; CMOSFET; Gate-first; HfO2; Silicate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Compositional analysis of HfxSiyO1−x−y thin films by medium energy ion scattering (MEIS) analysis

Keywords: بالا K; 82.80.Yc; 77.55.+f; 61.18.BnCompositional analysis; MEIS; HfxSiyO1−x−y; TEA; High-k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characterization of HfOxNy gate dielectrics using a hafnium oxide as target

Keywords: بالا K; 77.55.+f; 77.84.Bw; 78.20.Ci; High-k; Crystallization; Interface; Optical properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Investigation of high-K gate stacks with epitaxial Gd2O3 and FUSI NiSi metal gates down to CET=0.86 nm

Keywords: بالا K; High-k; Epitaxial dielectric; Gd2O3; Metal gate; Fully silicided (FUSI); NiSi; TiN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Analysis of thin high-k and silicide films by means of heavy ion time-of-flight forward-scattering spectrometry

Keywords: بالا K; 29.30.−h; 81.05.Je; 81.70.Jb; 82.80.Yc; TOF-FS; RBS; ERDA; NiSi; High-k;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Wide band frequency and in situ characterisation of high permittivity insulators (High-K) for H.F. integrated passives

Keywords: بالا K; Permittivity; High-K; Dielectrics; Characterization; High frequency; Coplanar wave guide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Photoelectron spectroscopy (XPS) and photoelectron diffraction (XPD) studies on the system hafnium silicide and hafnium oxide on Si(1 0 0)

Keywords: بالا K; Photoelectron diffraction; Hafnium oxide; High-k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Relevance of the pulsed capacitance–voltage measurement technique for the optimization of SrBi2Ta2O9/high-k stack combination to be used in FeFET devices

Keywords: بالا K; FeFET; MFIS; SBT; High-k; C(V) measurement

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optimization of electric properties of high-k zirconium dioxide by varying deposition and annealing conditions

Keywords: بالا K; ZrO2; High-k; Interface state density; Leakage current

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Interface characterization of high-k dielectrics on Ge substrates

Keywords: بالا K; Germanium; High-k; Ge/HfO2 interface; Thermal evaporation; NBTI; Surface nitridation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Fringe-induced barrier lowering (FIBL) included threshold voltage model for double-gate MOSFETs

Keywords: بالا K; Double-gate MOSFET; Threshold voltage; Scaling limit; Fringe-induced barrier lowering (FIBL); High-k;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Comparison of electric properties of ultra-thin thermal and plasma nitrided silicon oxides with different post-deposition treatments using C-AFM

Keywords: بالا K; C-AFM; high-k; nitridation; leakage current;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation on trapping and detrapping mechanisms in HfO2 films

Keywords: بالا K; charge trapping; hysteresis; High-K; trapping mechanism;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MIM capacitors using amorphous high-k PrTixOy dielectrics

Keywords: بالا K; High-K; MIM; PrTixOy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Impact of high-k gate stack material with metal gates on LF noise in n- and p-MOSFETs

Keywords: بالا K; LF noise; high-K; Hf silicates; metal gates; number fluctuations; mobility fluctuations;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of ALD HfO2 thickness on charge trapping and mobility

Keywords: بالا K; charge trapping; mobility; high-k;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Reduction of fixed charges in atomic layer deposited Al2O3 dielectrics

Keywords: بالا K; High-k; Al2O3; fixed charges;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of low temperature annealing on the ultrathin La2O3 gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing

Keywords: بالا K; La2O3; High-k; Gate Dielectric; Post-Deposition Annealing; Post-Metallization Annealing; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Analysis of defects at the interface between high-k thin films and (1 0 0) silicon

Keywords: بالا K; Aluminium oxide; Interfaces; EPR; Thin films; Defects; High-k;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crystallization process of high-k gate dielectrics studied by surface X-ray diffraction

Keywords: بالا K; High-k; HfO2; HfAlOx; ALD; Crystal structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Current conduction mechanism in TiO2 gate dielectrics

Keywords: بالا K; Strained-Si; High-k; TiO2; Schottky emission; Poole-Frenkel effect;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Wide band frequency and in situ characterization of high permittivity insulators (high-k) for high-speed integrated passives

Keywords: بالا K; High-k; Dielectrics; K-value; Characterization; High frequency; Coplanar wave guide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Strain relaxation near high-k/Si interface by post-deposition annealing

Keywords: بالا K; High-k; HfO2; Strain; Interfacial layer; Post-deposition anneal;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Scaling CMOS: Finding the gate stack with the lowest leakage current

Keywords: بالا K; High-k; Gate dielectric; Leakage current; k-Value; Barrier height;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه