![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Electrical characteristics of polycrystalline Si layers embedded into high-k Al2O3 gate layers
Keywords: بالا K; 77.55.+f; 85.50.ân; 73.40.Qv; Alumina; Polycrystalline silicon; Memory; High-k;