دانلود مقالات ISI درباره B1 آنتیبادیدها + ترجمه فارسی

Suppression of lateral growth in InAs/InAsSb heterostructured nanowires

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Crystal morphology; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

InAsSb-based XBnn bariodes grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural and morphological dependences of Sb2S3 nanobars synthesised by organo-colloidal process on precursor concentrations and reaction times

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Crystal structure; A1. Growth from solutions; A1. X-ray diffraction; B1. Antimonides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and characterisation of NiSb(0001)/GaAs(111)B epitaxial films

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Surface structure; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Sb antisite defects in InSb epilayers prepared by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A3. Metalorganic vapor deposition; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium antimonide nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A comparative precursor study of the growth behavior of InSb using metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Crystal morphology; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermodynamic modeling of bulk ternary alloy crystal growth: Comparison of experiments and theory for GaInSb alloys

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Growth models; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth behavior and defect reduction in heteroepitaxial InAs and GaSb on GaAs using block copolymer lithography

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B1. Antimonides; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of type II strained layer superlattice, bulk InAs and GaSb materials for minority lifetime characterization

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Quantum dots and quantum dashes in the narrow-gap InSb/InAsSbP system

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Atomic force microscopy; A1. Low-dimensional structures; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B3. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Long wavelength infrared detection using amorphous InSb and InAs0.3Sb0.7

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A3. Polycrystalline deposition; B1. Antimonides; B1. Arsenates; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of antimony (Sb) incorporation on MOVPE grown InAsyP1−y metamorphic buffer layers on InP substrates

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Arsenides; B1. Phosphides; B1. Indium compounds; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Compositionally-graded InGaAs–InGaP alloys and GaAsSb alloys for metamorphic InP on GaAs

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Line defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Alloys; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

On the pressure difference ranges which assure a specified gap size for semiconductor crystals grown in terrestrial dewetted Bridgman

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Computer simulation; A2. Growth from the melt; A2. Single crystal growth; B1. Antimonides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Strained GaAsSb/GaAs QW structures grown by MBE on GaAs (1 0 0) for applications near 1.3 micron

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.15.Hi; 81.15.Aa; 78.67.De; 85.35.Be; 81.07.StA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Crystal growth of bulk ternary semiconductors: Comparison of GaInSb growth by horizontal Bridgman and horizontal traveling heater method

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

InAsyP1−y metamorphic buffer layers on InP substrates for mid-IR diode lasers

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides; B1. Phosphides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Self-catalyzed growth of GaSb nanowires at low reaction temperatures

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of reactor pressure on catalyst composition and growth of GaSb nanowires

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Carbon reduction and antimony incorporation in InGaAsSb films grown by metalorganic molecular beam epitaxy using tris-dimethylaminoantimony

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.15.Hi; 82.80.Ms; 78.55.Cr; 81.05.Ea; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting quarternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Comparison of structural and optical properties of GaSb/AlGaSb quantum well structures grown on different oriented Si substrates

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 68.37.Lp; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 78.67.De; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High quality of InAsSb epilayer with cutoff wavelength longer than 10 μm grown on GaAs by the modified LPE technique

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.05.Ea; 81.15.Lm; 85.60.Bt; 85.60.GzA3. Liquid phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V Materials; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MBE growth of active regions for electrically pumped, cw-operating GaSb-based VCSELs

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 42.55.Px; 73.63.HsA1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides; B2. Semiconducting quaternary alloys; B3. Infrared devices; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Optimizing residual carriers in undoped InAs/GaSb superlattices for high operating temperature mid-infrared detectors

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 78.66.F; 85.60.G; 81.15.HA3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Antimonides; B3. Infrared detector; B3. Semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High detectivity AlGaAsSb/InGaAsSb photodetectors grown by molecular beam epitaxy with cutoff wavelength up to 2.6 μm

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Development of uncooled miniaturized InSb photovoltaic infrared sensors for temperature measurements

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 07.57.Kp; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 85.60.Gz; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and structural characterization of GaAs/GaAsSb axial heterostructured nanowires

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 81.07.−b; 68.37.−Lp; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Critical thickness of MBE-grown Ga1−xInxSb (x<0.2) on GaSb

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.15.Hi; 61.10.NzA1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy growth of bulk GaNAsSb on Ge/graded-SiGe/Si substrate

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Atomic force microscopy; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaSb-based VCSELs emitting in the mid-infrared wavelength range (2–3 μm) grown by MBE

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 42.55.Px; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 85.35.BeA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Evolution of growth and enhancement in power factor of InSb bulk crystal

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 71.55.Eq; 72.15.Jf; 72.80.Ey; 72.20.PaA2. Bridgman technique; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Impact of CBr4, V/III ratio, temperature and AsH3 concentration on MOVPE growth of GaAsSb:C

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 85.30.Pq; 81.15.Kk; 81.05.Ea; 61.72.sd; 68.35.DvA1. Characterization; A1. Doping; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Atomic ordering in GaAsSb (0 0 1) grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; 68.37.LP;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of InAsSb/InPSb heterojunctions for mid-IR detector applications

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.60.Bt; 85.60.GzA3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improving photoluminescence of highly strained 1.32 μm GaAsSb/GaAs multiple quantum wells grown on misorientation substrate

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 61.10.Nz; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Temperature effect on the growth of strained GaAs1−ySby/GaAs (y>0.4) quantum wells by MOVPE

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 61.10.Nz; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Type II GaAsxSb1−x/InAs (x<0.35) heterojunction grown by MOVPE near a miscibility gap of the ternary solid solution

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 71.55.Eq; 73.40.Kp; 75.47.−m; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.GhA3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOVPE growth of Ga(As)SbN on GaSb substrates

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 78.20.−e; 78.55.Cr; 81.15.GhA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of GaSb nanowires grown by MOVPE

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.05.Ea; 61.46.Km; 81.15.KkA1. Nanowires; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of GaSb thin films from tailor-made single-source precursors

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Surfaces; A3. Low press. metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of various antimony-containing alloys by MOVPE

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOVPE growth of antimonide-containing alloy materials for long wavelength applications

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 07.60.Pb; 81.10.Bk; 82.33.TaA1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Growth models; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Dependence of the meniscus shape on the pressure difference in the dewetted Bridgman process

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 02.60.Cb; 02.60.Lj; 68.08.−p; 68.08.Bc; 71.20.Nr; 74.62.Fj; A1. Computer simulation; A2. Dewetted Bridgman technique; A2. Growth from the melt; A2. Single crystal growth; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy on gas cluster ion beam-prepared GaSb substrates: Towards improved surfaces and interfaces

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Gas cluster ion beam; B1. Antimonides; B1. Surface oxides; B2. GaSb

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

(In)GaSb/AlGaSb quantum wells grown on Si substrates

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 68.55.-a; 68.55.Ln; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of dilute nitride alloys of GaInSb lattice-matched to GaSb

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 72.80.Ey; 73.61.Ey; 81.05.EaA1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth mechanisms and structural properties of self-assembled AlSb quantum dots on a Si(1 0 0) substrate

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 61.14.Hg; 68.37.Ps; 68.35.Gy; 68.65.Hb; 71.55.Eq; A1. Atomic force microscopy; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface segregation of Sb atoms during molecular-beam epitaxy of InSb quantum dots in an InAs(Sb) matrix

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 64.75.+g; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.−z; 81.15.HiA1. Segregation; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

InAsPSb quaternary alloy grown by gas source molecular beam epitaxy

Keywords: B1 آنتیبادیدها; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting quaternary alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation of crystallographic tilting in GaSb/GaAs heteroepitaxial structure by high-resolution X-ray diffraction

Keywords: B1 آنتیبادیدها; 68.35.Dv; 68.37.Yz; 81.15.HiA1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه