پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نهتنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیمرسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده میشود، بسیار دقیقتر و مشکلتر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیمرساناها باید بهصورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است.
رشد از مذاب
یک روش متداول برای رشد تک بلورها، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است، به گونهای که انجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام میپذیرد.
یک مثال
ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشهای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیم (Ge) مذاب است و میتوان آن را طوری از کوره بیرون آورد که انجماد از یک انتها شروع شده، بهتدریج تا انتهای دیگر پیش رود. با قرار دادن یک دانه بلوری کوچک در نقطه شروع انجماد، میتوان کیفیت رشد بلور را بالا برد. شکل بلور بدست آمده توسط ظرف ذوب تعیین میشود. ژرمانیوم، گالیم آرسنیک (GaAs) و دیگر بلورهای نیمرسانا اغلب با این روش که معمولا روش بریجمن افقی (Bridgman) نامیده میشود، رشد داده میشوند.
معایب رشد بلور در ظرف ذوب
در این روش، ماده مذاب با دیوارهای ظرف تماس پیدا میکند و در نتیجه در هنگام انجماد تنشهایی ایجاد میشود که بلور را از حالت ساختار شبکهای کامل خارج میسازد. این نکته بویژه در مورد Si که دارای نقطه ذوب بالایی بوده و تمایل به چسبیدن به مواد مذاب را دارد، مشکل جدی است.
روش جایگزین
یک روش جایگزین، کشیدن بلور از مذاب در هنگام رشد آن است. در این روش یک دانه بلوری در داخل ماده مذاب قرار داده شده و بهآهستگی بالا کشیده میشود و به بلور امکان رشد بر روی دانه را میدهد. معمولا در هنگام رشد، بلور بهآهستگی چرخانده میشود تا علاوه بر هم زدن ملایم مذاب از هر گونه تغییرات دما که منجر به انجماد غیر همگن میشود، متوسط گیری کند. این روش، روش چوکرالسکی (Czochoralski) نامیده میشود.
روشهای مختلفی برای تبلور و رشد بلور وجود دارند که در میان رایجترین آنها میتوان به روشهای زیر اشاره کرد:
1-روشهای فاز بخار
رسوب شیمیایی بخار (CVD)
رسوب فیزیکی بخار (PVD)
2-روشهای بر پایه محلول
استفاده از ضد محلولها
کم کردن دما و رساندن محلول به حالت فوق اشباع
انجماد حلال و جدا کردن رسوبات
کلوخهکردن و استفاده از دستگاه مرکزگریز (سانتریفوژ)
در این صفحه تعداد 1118 مقاله تخصصی درباره رشد بلور که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید. در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI رشد بلور (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند. در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: رشد بلور; 71.23.An; 71.55.Cn; 72.10.Di; 72.20.Dp; 72.20.Nr; A. Semiconductors; B. Crystal growth; C. X-ray diffraction; D. Optical properties;